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  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, MATERIAIS

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo; PEREYRA, Inés. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt". 2006.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/ >.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2006). Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt". Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
  • Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP

    Subjects: FILMES FINOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo; FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu; PEREYRA, Inés. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, Amsterdam, v. 338-340, 2004. Disponível em: < http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf >.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2004). Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, 338-340. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
  • Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo; PEREYRA, Inés. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003[S.l: s.n.], 2003.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2003). Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003.
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003.
  • Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo; BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida; GONÇALVES, José Lino. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. Anais.. Brasília: SBMicro, 2001.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., Braga, N. L. de A., & Gonçalves, J. L. (2001). Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;
  • Unidade: EP

    Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo; BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., & Braga, N. L. de A. (2000). Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Braga NL de A. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000 ;
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Braga NL de A. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000 ;

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