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Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Oliveira, J B B de
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E; MENESES, E A; CARVALHO JUNIOR, W; et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, SBF, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002. Disponível em: < http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_314.pdf > DOI: 10.1590/s0103-97332002000200017.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_314.pdf
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_314.pdf
Artigo de periodico
Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy (1994)
Bernussi, A A; Souza, C F; Carvalho, W.; Lubyshev, D I; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A; SOUZA, C F; CARVALHO, W.; et al. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 24, n. 1 , p. 460-5, 1994.
APA
Bernussi, A. A., Souza, C. F., Carvalho, W., Lubyshev, D. I., Rossi, J. C., & Basmaji, P. (1994). Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 460-5.
NLM
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.
Vancouver
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.
Artigo de periodico
Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Kolenda, J; Bernussi, A A; Matvienko, B; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GRIVICKAS, V; KOLENDA, J; BERNUSSI, A A; MATVIENKO, B; BASMAJI, Pierre. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 24, n. 1 , p. 349-52, 1994.
APA
Grivickas, V., Kolenda, J., Bernussi, A. A., Matvienko, B., & Basmaji, P. (1994). Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 349-52.
NLM
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.
Vancouver
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.
Trabalho de evento-resumo
Ions incorporation and exchange effects in porous silicon (1993)
Matvienko, B; Basmaji, Pierre; Grivickas, V; Bernussi, A A
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
MATVIENKO, B; BASMAJI, Pierre; GRIVICKAS, V; BERNUSSI, A A. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993.
APA
Matvienko, B., Basmaji, P., Grivickas, V., & Bernussi, A. A. (1993). Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. Abstracts. 1993 ;
Vancouver
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. Abstracts. 1993 ;
Trabalho de evento-resumo
Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy (1993)
Bernussi, A A; Souza, C F; Carvalho, W.; Lubyshev, D I; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A; SOUZA, C F; CARVALHO, W.; et al. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993.
APA
Bernussi, A. A., Souza, C. F., Carvalho, W., Lubyshev, D. I., Rossi, J. C., & Basmaji, P. (1993). Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Abstracts. 1993 ;
Vancouver
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Abstracts. 1993 ;
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso (1993)
Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Grivickas, V; Surdutovich, G; Vitlina, R; Kolenda, J; Matvienko, B; Bernussi, A A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre; ROSSI, J C; GRIVICKAS, V; et al. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993.
APA
Basmaji, P., Rossi, J. C., Grivickas, V., Surdutovich, G., Vitlina, R., Kolenda, J., et al. (1993). Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;
Vancouver
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;
Trabalho de evento-resumo
Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso (1993)
Bernussi, A A; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Matvienko, B
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A; BASMAJI, Pierre; ROSSI, J C; MATVIENKO, B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993.
APA
Bernussi, A. A., Basmaji, P., Rossi, J. C., & Matvienko, B. (1993). Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ;
Vancouver
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ;
Trabalho de evento-resumo
Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping (1991)
Novellino, R A; Motisuke, P; Bernussi, A A; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
NOVELLINO, R A; MOTISUKE, P; BERNUSSI, A A; BASMAJI, Pierre. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991.
APA
Novellino, R. A., Motisuke, P., Bernussi, A. A., & Basmaji, P. (1991). Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. Programa e Resumos. 1991 ;
Vancouver
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. Programa e Resumos. 1991 ;
Artigo de periodico
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1991)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A; IIKAWA, F; MOTISUKE, P; BASMAJI, Pierre. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, Amsterdam, v. 108, p. 615-20, 1991.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1991). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 108, 615-20.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
Notari, A C; Bernussi, A A; Schrappe, B; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C; BERNUSSI, A A; SCHRAPPE, B; et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991.
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; BRUM, J A; MOTISUKE, P; et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum[S.l.], v. 65-6, p. 67-72, 1990.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; MENDONCA, C A C; MOTISUKE, P; et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Anais.. Singapore: World Scientific, 1990.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; IIKAWA, F; MOTISUKE, P; et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, New York, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BASMAJI, Pierre; NOTARI, A C; SIU LI, Máximo; et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society[S.l: s.n.], 1990.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society.
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre; CESCHIN, A M; SIU LI, Máximo; et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, Amsterdam, v. 228, p. 356-8, 1990.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.
Artigo de periodico
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; BRUM, J A; MOTISUKE, P; et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, Elmont, v. 8 , n. 2 , p. 205-8, 1990.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, 8 ( 2 ), 205-8.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.
Trabalho de evento-resumo
Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Basmaji, Pierre; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; BRUM, J A; BASMAJI, Pierre; MOTISUKE, P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Basmaji, P., & Motisuke, P. (1990). Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. Programa e Resumos. 1990 ;
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. Programa e Resumos. 1990 ;
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre; CESCHIN, A M; SIU LI, Máximo; et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Anais.. Ann Arbor: [s.n.], 1989.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' (1989)
Bernussi, A A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Program and Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFSC
Subjects: FOTÔNICA, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A; MOTISUKE, P; BASMAJI, Pierre; et al. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. Program and Abstracts. 1989 ;
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. Program and Abstracts. 1989 ;

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