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  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, Woodbury, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007. Disponível em: < http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000007075316000001&idtype=cvips&prog=normal > DOI: 10.1103/physrevb.75.075316.
    • APA

      Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
    • NLM

      Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000007075316000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000007075316000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Source: Nanotechnology. Unidade: IF

    Assunto: NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, Bristol, v. 18, n. 29, p. 295706/1-295706/6, 2007. Disponível em: < http://www.iop.org/EJ/article/0957-4484/18/29/295706/nano7_29_295706.pdf?request-id=mCl2ag5n3BGuP3Dc2wi7Kg > DOI: 10.1088/0957-4484/18/29/295706.
    • APA

      Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, 18( 29), 295706/1-295706/6. doi:10.1088/0957-4484/18/29/295706
    • NLM

      Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0957-4484/18/29/295706/nano7_29_295706.pdf?request-id=mCl2ag5n3BGuP3Dc2wi7Kg
    • Vancouver

      Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0957-4484/18/29/295706/nano7_29_295706.pdf?request-id=mCl2ag5n3BGuP3Dc2wi7Kg
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS

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    • ABNT

      ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, Woodbury, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007. Disponível em: < http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000011115113000001&idtype=cvips&prog=normal > DOI: 10.1103/physrevb.75.115113.
    • APA

      Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
    • NLM

      Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000011115113000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000011115113000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn. 2007.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/ >.
    • APA

      Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2007). Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
    • NLM

      Arantes Junior JT, Fazzio A. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
    • Vancouver

      Arantes Junior JT, Fazzio A. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

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    • ABNT

      SCHMIDT, T M; VENEZUELA, P; ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, Woodbury, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006. Disponível em: < http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235330000001&idtype=cvips&prog=normal > DOI: 10.1103/physrevb.73.235330.
    • APA

      Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
    • NLM

      Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235330000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235330000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, T M; ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006. Disponível em: < http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf >.
    • APA

      Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
    • NLM

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
    • Vancouver

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; SCHMIDT, Tome Mauro; FAZZIO, Adalberto. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. Anais.. São Paulo: SBF, 2004.Disponível em: .
    • APA

      Arantes Junior, J. T., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2004). Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf
    • NLM

      Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf
    • Vancouver

      Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
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    • ABNT

      MIRANDA, Caetano Rodrigues; ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Anais.. São Paulo: SBF, 2003.
    • APA

      Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;
    • Vancouver

      Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCHMIDT, Tomé M; ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Anais.. São Paulo: SBF, 2003.
    • APA

      Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;
    • Vancouver

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;
  • Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    How to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, T M; ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro; FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003.
    • APA

      Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
    • NLM

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;
    • Vancouver

      Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;

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