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Relatorio tecnico
Temperature effects on dislocation core energies in silicon and germanium (2020)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Nunes, R W; Antonelli, A
Unidade: IF
Subjects: TEMPERATURA, SILÍCIO, GERMÂNIO
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues; NUNES, R W; ANTONELLI, A. Temperature effects on dislocation core energies in silicon and germanium. [S.l: s.n.], 2020.
APA
Miranda, C. R., Nunes, R. W., & Antonelli, A. (2020). Temperature effects on dislocation core energies in silicon and germanium. São Paulo.
NLM
Miranda CR, Nunes RW, Antonelli A. Temperature effects on dislocation core energies in silicon and germanium. 2020 ;
Vancouver
Miranda CR, Nunes RW, Antonelli A. Temperature effects on dislocation core energies in silicon and germanium. 2020 ;
Trabalho de evento-resumo
Use of hypertonic and isotonic saline solution and furosemide for the treatment of the ammonia poisoning in cattle (2008)
Kitamura, S; Antonelli, A; Barreto Junior, R; Mori, C; Sucupira, Maria Cláudia Araripe; Caputi, B; Ortolani, Enrico Lippi
Source: Abstracts. Conference title: Jubilee World Buiatrics Congress. Unidade: FMVZ
Subjects: AMÔNIA, GADO, INTOXICAÇÃO (TRATAMENTO), FÁRMACOS
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ABNT
KITAMURA, S; ANTONELLI, A; BARRETO JUNIOR, R; et al. Use of hypertonic and isotonic saline solution and furosemide for the treatment of the ammonia poisoning in cattle. Anais.. Budapest: [s.n.], 2008.
APA
Kitamura, S., Antonelli, A., Barreto Junior, R., Mori, C., Sucupira, M. C. A., Caputi, B., & Ortolani, E. L. (2008). Use of hypertonic and isotonic saline solution and furosemide for the treatment of the ammonia poisoning in cattle. In Abstracts. Budapest.
NLM
Kitamura S, Antonelli A, Barreto Junior R, Mori C, Sucupira MCA, Caputi B, Ortolani EL. Use of hypertonic and isotonic saline solution and furosemide for the treatment of the ammonia poisoning in cattle. Abstracts. 2008 ;
Vancouver
Kitamura S, Antonelli A, Barreto Junior R, Mori C, Sucupira MCA, Caputi B, Ortolani EL. Use of hypertonic and isotonic saline solution and furosemide for the treatment of the ammonia poisoning in cattle. Abstracts. 2008 ;
Trabalho de evento-resumo
Ammonia detoxication efficacy in cattle adapted or not to dietary urea and afterwards undergone to different privation periods (2008)
Santos, N; Ortolani, Enrico Lippi; Mori, C; Antonelli, A; Sucupira, Maria Cláudia Araripe; Kitamura, S
Source: Abstracts. Conference title: Jubilee World Buiatrics Congress. Unidade: FMVZ
Subjects: AMÔNIA, GADO, INTOXICAÇÃO, UREIA
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ABNT
SANTOS, N; ORTOLANI, Enrico Lippi; MORI, C; et al. Ammonia detoxication efficacy in cattle adapted or not to dietary urea and afterwards undergone to different privation periods. Anais.. Budapest: [s.n.], 2008.
APA
Santos, N., Ortolani, E. L., Mori, C., Antonelli, A., Sucupira, M. C. A., & Kitamura, S. (2008). Ammonia detoxication efficacy in cattle adapted or not to dietary urea and afterwards undergone to different privation periods. In Abstracts. Budapest.
NLM
Santos N, Ortolani EL, Mori C, Antonelli A, Sucupira MCA, Kitamura S. Ammonia detoxication efficacy in cattle adapted or not to dietary urea and afterwards undergone to different privation periods. Abstracts. 2008 ;
Vancouver
Santos N, Ortolani EL, Mori C, Antonelli A, Sucupira MCA, Kitamura S. Ammonia detoxication efficacy in cattle adapted or not to dietary urea and afterwards undergone to different privation periods. Abstracts. 2008 ;
Trabalho de evento-resumo
A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A
Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto; ANTONELLI, A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. Anais.. São Paulo: SBF, 2004.Disponível em: .
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2004). A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A; Oliveira, L E; Santos, R R dos
Source: Program. Conference title: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subject: SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto; ANTONELLI, A; OLIVEIRA, L E; SANTOS, R R dos. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors. Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004.Disponível em: .
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Antonelli, A., Oliveira, L. E., & Santos, R. R. dos. (2004). Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A, Oliveira LE, Santos RR dos. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors [Internet]. Program. 2004 ;Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A, Oliveira LE, Santos RR dos. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors [Internet]. Program. 2004 ;Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference title: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MIRANDA, C R; ANTONELLI, A; SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;
Artigo de periodico
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco; SCHMIDT, T M; FAZZIO, Adalberto; ANTONELLI, A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, Amsterdam, v. 302, n. 403-407, 2001. Disponível em: < http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf > DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00462-8.
APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8
NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf
Trabalho de evento
BeppoSAX observations during high and low states of 'eta' Carinae (1999)
Viotti, R; Grandi, P; Antonelli, A; Corcoran, M F; Damineli Neto, Augusto
Source: Proceedings. Conference title: Workshop ETA Carinae at the Millennium. Unidade: IAG
Subject: ASTROFÍSICA ESTELAR
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ABNT
VIOTTI, R; GRANDI, P; ANTONELLI, A; CORCORAN, M F; DAMINELI NETO, Augusto. BeppoSAX observations during high and low states of 'eta' Carinae. Anais.. San Francisco: Astronomical Society Pacific, 1999.
APA
Viotti, R., Grandi, P., Antonelli, A., Corcoran, M. F., & Damineli Neto, A. (1999). BeppoSAX observations during high and low states of 'eta' Carinae. In Proceedings. San Francisco: Astronomical Society Pacific.
NLM
Viotti R, Grandi P, Antonelli A, Corcoran MF, Damineli Neto A. BeppoSAX observations during high and low states of 'eta' Carinae. Proceedings. 1999 ;
Vancouver
Viotti R, Grandi P, Antonelli A, Corcoran MF, Damineli Neto A. BeppoSAX observations during high and low states of 'eta' Carinae. Proceedings. 1999 ;
Artigo de periodico
Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon (1990)
Fazzio, A; Antonelli, A; Ferreira de Paula Junior, H; Canuto, Sylvio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subject: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, A; ANTONELLI, A; FERREIRA DE PAULA JUNIOR, H; CANUTO, Sylvio. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology[S.l.], v. 5 , n. 3 , p. 196-9, 1990. DOI: 10.1088/0268-1242/5/3/002.
APA
Fazzio, A., Antonelli, A., Ferreira de Paula Junior, H., & Canuto, S. (1990). Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, 5 ( 3 ), 196-9. doi:10.1088/0268-1242/5/3/002
NLM
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto S. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.
Vancouver
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto S. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.
Trabalho de evento-resumo
Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond (1990)
Antonelli, A; Bernholc, J; Kajihara, S A
Conference title: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subject: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ANTONELLI, A; BERNHOLC, J; KAJIHARA, S A. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. Anais.. Thessaloniki: [s.n.], 1990.
APA
Antonelli, A., Bernholc, J., & Kajihara, S. A. (1990). Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. In . Thessaloniki.
NLM
Antonelli A, Bernholc J, Kajihara SA. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. 1990 ;
Vancouver
Antonelli A, Bernholc J, Kajihara SA. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. 1990 ;
Parte de monografia/livro
Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-' (1988)
Antonelli, A; Valle do Amaral, O A; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A; VALLE DO AMARAL, O A; CANUTO, Sylvio; FAZZIO, A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics[S.l: s.n.], 1988.
APA
Antonelli, A., Valle do Amaral, O. A., Canuto, S., & Fazzio, A. (1988). Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto S, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988.
Vancouver
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto S, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988.
Artigo de periodico
Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon (1987)
Amaral, O A V; Antonelli, A; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subject: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARAL, O A V; ANTONELLI, A; FAZZIO, A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B[S.l.], v. 35, n. 12, p. 6450-3, 1987.
APA
Amaral, O. A. V., Antonelli, A., & Fazzio, A. (1987). Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, 35( 12), 6450-3.
NLM
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.
Vancouver
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.
Artigo de periodico
Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subject: ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TARNOW, E; ANTONELLI, A; JOANNOPOULOS, J D. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B[S.l.], v. 34, n. 12, p. 8718-27, 1986.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B, 34( 12), 8718-27.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B. 1986 ;34( 12): 8718-27.
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B. 1986 ;34( 12): 8718-27.
Artigo de periodico
New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3' (1986)
Antonelli, A; Tarnow, E; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A; TARNOW, E; JOANNOPOULOS, J D. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B[S.l.], v. 33, n. 4 , p. 2968-71, 1986.
APA
Antonelli, A., Tarnow, E., & Joannopoulos, J. D. (1986). New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B, 33( 4 ), 2968-71.
NLM
Antonelli A, Tarnow E, Joannopoulos JD. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B. 1986 ;33( 4 ): 2968-71.
Vancouver
Antonelli A, Tarnow E, Joannopoulos JD. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B. 1986 ;33( 4 ): 2968-71.
Artigo de periodico
Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Bulletin of the American Physical Society. Unidade: IF
Subject: ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TARNOW, E; ANTONELLI, A; JOANNOPOULOS, J D. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society[S.l.], v. 31, p. 592, 1986.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society, 31, 592.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society. 1986 ;31 592.
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society. 1986 ;31 592.
Artigo de periodico
Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TARNOW, E; ANTONELLI, A; JOANNOPOULOS, J D. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B[S.l.], v. 34, n. 6 , p. 4059-73, 1986.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B, 34( 6 ), 4059-73.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B. 1986 ;34( 6 ): 4059-73.
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B. 1986 ;34( 6 ): 4059-73.
Trabalho de evento-resumo
Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo (1986)
Antonelli, A; Agostinho Neto, A
Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A; AGOSTINHO NETO, A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986.
APA
Antonelli, A., & Agostinho Neto, A. (1986). Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Antonelli A, Agostinho Neto A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. Programa e Resumos. 1986 ;
Vancouver
Antonelli A, Agostinho Neto A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. Programa e Resumos. 1986 ;

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