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  • Source: Physica B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 320-323, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Henriques, A. B., Oliveira, R. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, 298( 1-4), 320-323. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
    • NLM

      Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
    • Vancouver

      Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz et al. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 707-710, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 707-710. doi:10.1590/s0103-97331999000400017
    • NLM

      Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
    • Vancouver

      Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
  • Source: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, INTERFACE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, v. 273-274, p. 835-838, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, 273-274, 835-838. doi:10.1016/s0921-4526(99)00516-5
    • NLM

      Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
    • Vancouver

      Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      HANAMOTO, Luciana Kazumi et al. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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