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Trabalho de evento-resumo
Studies of electron drift velocity in nitrogen and isobutane (2009)
Gonçalves, Josemary A C; Botelho, Suzana; Tobias, Carmem Cecília Bueno; Vivaldini, Túlio C; Lima, Iara B; Ridenti, Marco A; Pascholatti, Paulo Reginaldo; Paulo Fonte; Mangiarotti, Alessio
Source: Posters: Abstracts. Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
GONÇALVES, Josemary A C et al. Studies of electron drift velocity in nitrogen and isobutane. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0020-1.pdf. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Gonçalves, J. A. C., Botelho, S., Tobias, C. C. B., Vivaldini, T. C., Lima, I. B., Ridenti, M. A., et al. (2009). Studies of electron drift velocity in nitrogen and isobutane. In Posters: Abstracts. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0020-1.pdf
NLM
Gonçalves JAC, Botelho S, Tobias CCB, Vivaldini TC, Lima IB, Ridenti MA, Pascholatti PR, Paulo Fonte, Mangiarotti A. Studies of electron drift velocity in nitrogen and isobutane [Internet]. Posters: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0020-1.pdf
Vancouver
Gonçalves JAC, Botelho S, Tobias CCB, Vivaldini TC, Lima IB, Ridenti MA, Pascholatti PR, Paulo Fonte, Mangiarotti A. Studies of electron drift velocity in nitrogen and isobutane [Internet]. Posters: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0020-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Studies of gaseous multiplication coefficient in isobutane using a resistive plate chamber (2009)
Gonçalves, Josemary A C; Botelho, Suzana; Tobias, Carmem Cecília Bueno; Lima, Iara B; Vivaldini, Túlio C; Ridenti, Marco A; Pascholatti, Paulo Reginaldo
Source: Posters: Abstracts. Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
GONÇALVES, Josemary A C et al. Studies of gaseous multiplication coefficient in isobutane using a resistive plate chamber. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0019-1.pdf. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Gonçalves, J. A. C., Botelho, S., Tobias, C. C. B., Lima, I. B., Vivaldini, T. C., Ridenti, M. A., & Pascholatti, P. R. (2009). Studies of gaseous multiplication coefficient in isobutane using a resistive plate chamber. In Posters: Abstracts. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0019-1.pdf
NLM
Gonçalves JAC, Botelho S, Tobias CCB, Lima IB, Vivaldini TC, Ridenti MA, Pascholatti PR. Studies of gaseous multiplication coefficient in isobutane using a resistive plate chamber [Internet]. Posters: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0019-1.pdf
Vancouver
Gonçalves JAC, Botelho S, Tobias CCB, Lima IB, Vivaldini TC, Ridenti MA, Pascholatti PR. Studies of gaseous multiplication coefficient in isobutane using a resistive plate chamber [Internet]. Posters: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0019-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
A method for evaluating electron transport parameters on a pulsed Townsend experiment (2009)
Ridenti, Marco A; Pascholatti, Paulo Reginaldo; Gonçalves, Josemary A C; Tobias, Carmem Cecília Bueno; Lima, Iara B; Vivaldini, Túlio C; Botelho, Suzana
Source: Oral Communications: Abstracts. Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
RIDENTI, Marco A et al. A method for evaluating electron transport parameters on a pulsed Townsend experiment. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0003-1.pdf. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Ridenti, M. A., Pascholatti, P. R., Gonçalves, J. A. C., Tobias, C. C. B., Lima, I. B., Vivaldini, T. C., & Botelho, S. (2009). A method for evaluating electron transport parameters on a pulsed Townsend experiment. In Oral Communications: Abstracts. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0003-1.pdf
NLM
Ridenti MA, Pascholatti PR, Gonçalves JAC, Tobias CCB, Lima IB, Vivaldini TC, Botelho S. A method for evaluating electron transport parameters on a pulsed Townsend experiment [Internet]. Oral Communications: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0003-1.pdf
Vancouver
Ridenti MA, Pascholatti PR, Gonçalves JAC, Tobias CCB, Lima IB, Vivaldini TC, Botelho S. A method for evaluating electron transport parameters on a pulsed Townsend experiment [Internet]. Oral Communications: Abstracts. 2009 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxii/sys/resumos/R0003-1.pdf
Dissertação (Mestrado)
Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si (2005)
Camargo, Fábio de; Tobias, Carmem Cecília Bueno (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR), ESPECTROSCOPIA, DETECÇÃO DE PARTÍCULAS, SEMICONDUTORES, DETETORES, AMERÍCIO, SILICONE, DIODOS
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ABNT
CAMARGO, Fábio de. Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Camargo, F. de. (2005). Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Camargo F de. Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Camargo F de. Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ]

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