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Trabalho de evento-resumo periodico
Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? (2017)
Bastos, N. A.; Lisboa-Filho, Paulo Noronha ; Tabata, A.; Francisco, P. A. S; Furuse, Adilson Yoshio ; Honório, Heitor Marques ; Borges, Ana Flávia Sanches
Fonte: Journal of Health Sciences. Nome do evento: Encontro do grupo Brasileiro de Materiais Dentários -GBMD. Unidade: FOB
Assuntos: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, CERÂMICA, MICROSCOPIA, RESISTÊNCIA DE UNIÃO (ODONTOLOGIA)
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ABNT
BASTOS, N. A. et al. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP?. Journal of Health Sciences. Londrina, PR: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2676713e-a957-46a6-adec-0db019e50b01/3102533.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2017
APA
Bastos, N. A., Lisboa-Filho, P. N., Tabata, A., Francisco, P. A. S., Furuse, A. Y., Honório, H. M., & Borges, A. F. S. (2017). Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? Journal of Health Sciences. Londrina, PR: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2676713e-a957-46a6-adec-0db019e50b01/3102533.pdf
NLM
Bastos NA, Lisboa-Filho PN, Tabata A, Francisco PAS, Furuse AY, Honório HM, Borges AFS. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? [Internet]. Journal of Health Sciences. 2017 ; 19( 5): 198.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2676713e-a957-46a6-adec-0db019e50b01/3102533.pdf
Vancouver
Bastos NA, Lisboa-Filho PN, Tabata A, Francisco PAS, Furuse AY, Honório HM, Borges AFS. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? [Internet]. Journal of Health Sciences. 2017 ; 19( 5): 198.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2676713e-a957-46a6-adec-0db019e50b01/3102533.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? (2017)
Bastos, N. A.; Lisboa-Filho, P. N.; Tabata, A.; Francisco, P. A. S.; Furuse, Adilson Yoshio; Honório, Heitor Marques; Borges, Ana Flávia Sanches
Fonte: Journal of Health Sciences. Nome do evento: Grupo Brasileiro de Materiais Dentários/GBM. Unidade: FOB
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, PORCELANA DENTÁRIA, MICROSCOPIA CONFOCAL
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ABNT
BASTOS, N. A. et al. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP?. Journal of Health Sciences. Londrina: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.pgsskroton.com.br/seer/index.php/JHealthSci/article/view/5863. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2017
APA
Bastos, N. A., Lisboa-Filho, P. N., Tabata, A., Francisco, P. A. S., Furuse, A. Y., Honório, H. M., & Borges, A. F. S. (2017). Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? Journal of Health Sciences. Londrina: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.pgsskroton.com.br/seer/index.php/JHealthSci/article/view/5863
NLM
Bastos NA, Lisboa-Filho PN, Tabata A, Francisco PAS, Furuse AY, Honório HM, Borges AFS. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? [Internet]. Journal of Health Sciences. 2017 ; 19( 5): 198.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.pgsskroton.com.br/seer/index.php/JHealthSci/article/view/5863
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Bastos NA, Lisboa-Filho PN, Tabata A, Francisco PAS, Furuse AY, Honório HM, Borges AFS. Ainda é necessário criar rugosidade na superfície da Y-TZP? [Internet]. Journal of Health Sciences. 2017 ; 19( 5): 198.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.pgsskroton.com.br/seer/index.php/JHealthSci/article/view/5863
Trabalho de evento-resumo
Análise estrutural por espectroscopia micro raman do material de dispositivo intraoral após protocolo radioterápico (2015)
Martins, Lázara J. O.; Borges, Ana Flávia Sanches; Siosaki, A. T. F. S.; Sansavino, S. Z.; Tabata, A.; Santos, Paulo Sérgio da Silva
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro do Grupo Brasileiro de Materiais Dentários - GBMD. Unidade: FOB
Assuntos: ANÁLISE ESPECTRAL, ESTOMATITE (RADIOTERAPIA), RADIOTERAPIA
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ABNT
MARTINS, Lázara J. O. et al. Análise estrutural por espectroscopia micro raman do material de dispositivo intraoral após protocolo radioterápico. 2015, Anais.. Bauru: FOB-USP, 2015. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Martins, L. J. O., Borges, A. F. S., Siosaki, A. T. F. S., Sansavino, S. Z., Tabata, A., & Santos, P. S. da S. (2015). Análise estrutural por espectroscopia micro raman do material de dispositivo intraoral após protocolo radioterápico. In Anais. Bauru: FOB-USP.
NLM
Martins LJO, Borges AFS, Siosaki ATFS, Sansavino SZ, Tabata A, Santos PS da S. Análise estrutural por espectroscopia micro raman do material de dispositivo intraoral após protocolo radioterápico. Anais. 2015 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Martins LJO, Borges AFS, Siosaki ATFS, Sansavino SZ, Tabata A, Santos PS da S. Análise estrutural por espectroscopia micro raman do material de dispositivo intraoral após protocolo radioterápico. Anais. 2015 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Análise de materiais para confecção de Stent intraoral durante planejamento e tratamento radioterápico (2015)
Martins, Lázara Joyce Oliveira ; Ferreira, Gabriela Z.; Borges, Ana Flávia Sanches; Siosaki, Ana Tarsila Fonseca ; Sansavino, Simone Zuquerato; Tabata, A.; Santos, Paulo Sérgio da Silva
Fonte: Brazilian Oral Research. Nome do evento: Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Pesquisa Odontológica - SBPqO. Unidade: FOB
Assuntos: MATERIAIS DENTÁRIOS, CONTENEDORES, RADIOTERAPIA
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ABNT
MARTINS, Lázara Joyce Oliveira et al. Análise de materiais para confecção de Stent intraoral durante planejamento e tratamento radioterápico. Brazilian Oral Research. São Paulo: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 nov. 2025. , 2015
APA
Martins, L. J. O., Ferreira, G. Z., Borges, A. F. S., Siosaki, A. T. F., Sansavino, S. Z., Tabata, A., & Santos, P. S. da S. (2015). Análise de materiais para confecção de Stent intraoral durante planejamento e tratamento radioterápico. Brazilian Oral Research. São Paulo: Faculdade de Odontologia de Bauru, Universidade de São Paulo.
NLM
Martins LJO, Ferreira GZ, Borges AFS, Siosaki ATF, Sansavino SZ, Tabata A, Santos PS da S. Análise de materiais para confecção de Stent intraoral durante planejamento e tratamento radioterápico. Brazilian Oral Research. 2015 ; 29 275.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Martins LJO, Ferreira GZ, Borges AFS, Siosaki ATF, Sansavino SZ, Tabata A, Santos PS da S. Análise de materiais para confecção de Stent intraoral durante planejamento e tratamento radioterápico. Brazilian Oral Research. 2015 ; 29 275.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN (1999)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Tabata, A.; Castineira, J. L. P.; As, D. J.
Fonte: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Ramos, L. E., Tabata, A., Castineira, J. L. P., & As, D. J. (1999). Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, 216( 1), 541-545.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Artigo de periodico
Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)
Lima, A. P.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Kaiser, S.; Schikora, D.; Schottker, B.; Frey, T.; Lischka, K.
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 202, p. 396-398, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lima, A. P., Tabata, A., Leite, J. R., Kaiser, S., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 202, 396-398. doi:10.1016/s0022-0248(98)01359-1
NLM
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Vancouver
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys (1999)
Tabata, A.; Silveira, E.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 769-774, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Silveira, E., Leite, J. R., Trentin, R., Scolfaro, L. M. R., Lemos, V., et al. (1999). Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, 216( 1), 769-774.
NLM
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 02 ]

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