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Trabalho de evento-resumo
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates (1997)
Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, Marcos et al. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 21 jul. 2024.
APA
Frizzarini, M., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]
Vancouver
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers (1997)
Levine, A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Dias, I. F. L.; Lauretto, D; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Oliveira, A. G.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 21 jul. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Dias, I. F. L., Lauretto, D., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Oliveira, A. G. (1997). New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]

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