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Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells (2002)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P e SIPAHI, Guilherme Matos. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, v. 246, n. 3-4, p. 347-354, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Sipahi, G. M. (2002). Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, 246( 3-4), 347-354. doi:10.1016/s0022-0248(02)01760-8
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Trabalho de evento-resumo
Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem (2001)
Rodrigues, S C P; Zanetti, Maria Lúcia
Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIIC-USP). Unidade: EERP
Subjects: PROFISSIONAIS DE ENFERMAGEM, ENFERMAGEM CIRÚRGICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P e ZANETTI, Maria Lúcia. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001, Anais.. São Paulo: USP, 2001. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Zanetti, M. L. (2001). Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. In . São Paulo: USP.
NLM
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2001)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302-303, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302-303, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

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