Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires (2017)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires. 2017, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2017. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.APA
Piton, M. R., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. D., Gobato, Y. G., Souto, S. P. A., Koivusalo, E., et al. (2017). Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdfNLM
Piton MR, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Souto SPA, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Guina M. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires [Internet]. Resumos. 2017 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdfVancouver
Piton MR, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Souto SPA, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Guina M. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires [Internet]. Resumos. 2017 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf