Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) 
; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 10 out. 2024.APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/NLM
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/Vancouver
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
