Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd (1989)
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro e MONTREE, A H. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 09 out. 2024.APA
Morimoto, N. I., & Montree, A. H. (1989). Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.NLM
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 09 ]Vancouver
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 09 ]