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Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
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ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells (2002)
Noriega, O. C.; Leite, J. R.; Meneses, E. A.; Soares, J. A. N. T.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos; Köhler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K.
Source: Physica Status Solidi C. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors - IWM. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
NORIEGA, O. C. et al. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105. Acesso em: 30 set. 2024. , 2002
APA
Noriega, O. C., Leite, J. R., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., et al. (2002). Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. doi:10.1002/pssc.200390105
NLM
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Vancouver
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Artigo de periodico
Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells (1999)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E. A. e SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B, v. 60, n. 3, p. 1519-1522, 1999Tradução . . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. da. (1999). Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B, 60( 3), 1519-1522.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B. 1999 ; 60( 3): 1519-1522.[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B. 1999 ; 60( 3): 1519-1522.[citado 2024 set. 30 ]
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Trabalho de evento
Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs (1999)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Anais. Conference titles: Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Pesquisadores Nikkeis. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E. A. e SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da. Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs. 1999, Anais.. Londrina: Editora UEL, 1999. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. da. (1999). Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs. In Anais. Londrina: Editora UEL.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs. Anais. 1999 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Estudo das propriedades de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaAlAs. Anais. 1999 ;[citado 2024 set. 30 ]

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