Caracterização física por meio do cáculo da energia de band gap dos filmes finos de ZnSe (2006)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Congresso da Sociedade Iberoamericana de Eletroquimica. Unidade: IQSC
Assunto: ELETROQUÍMICA
ABNT
MANZOLI, A et al. Caracterização física por meio do cáculo da energia de band gap dos filmes finos de ZnSe. 2006, Anais.. La Plata: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2006. . Acesso em: 30 jul. 2024.APA
Manzoli, A., Cabral, M. F., Rosario, A. V., Mascaro, L. H., & Machado, S. A. S. (2006). Caracterização física por meio do cáculo da energia de band gap dos filmes finos de ZnSe. In Resumos. La Plata: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Manzoli A, Cabral MF, Rosario AV, Mascaro LH, Machado SAS. Caracterização física por meio do cáculo da energia de band gap dos filmes finos de ZnSe. Resumos. 2006 ;[citado 2024 jul. 30 ]Vancouver
Manzoli A, Cabral MF, Rosario AV, Mascaro LH, Machado SAS. Caracterização física por meio do cáculo da energia de band gap dos filmes finos de ZnSe. Resumos. 2006 ;[citado 2024 jul. 30 ]