Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon (1993)
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LUBYSHEV, D L et al. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 03 nov. 2025.APA
Lubyshev, D. L., Rossi, J. C., Gussev, G., & Basmaji, P. (1993). Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.NLM
Lubyshev DL, Rossi JC, Gussev G, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 03 ]Vancouver
Lubyshev DL, Rossi JC, Gussev G, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 03 ]
