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Trabalho de evento-resumo
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon (1993)
Lubyshev, D L; Rossi, J C; Gussev, G; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LUBYSHEV, D L et al. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lubyshev, D. L., Rossi, J. C., Gussev, G., & Basmaji, P. (1993). Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lubyshev DL, Rossi JC, Gussev G, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Lubyshev DL, Rossi JC, Gussev G, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe (1993)
Lubyshev, D L; Gusev, G M; Rossi, J C; Runho, A; Ferreira, J. P.; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
LUBYSHEV, D L et al. Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lubyshev, D. L., Gusev, G. M., Rossi, J. C., Runho, A., Ferreira, J. P., & Basmaji, P. (1993). Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lubyshev DL, Gusev GM, Rossi JC, Runho A, Ferreira JP, Basmaji P. Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Lubyshev DL, Gusev GM, Rossi JC, Runho A, Ferreira JP, Basmaji P. Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon (1993)
Lubyshev, D L; Rossi, J C; Gusev, G M; Basmaji, Pierre
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LUBYSHEV, D L et al. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lubyshev, D. L., Rossi, J. C., Gusev, G. M., & Basmaji, P. (1993). Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Lubyshev DL, Rossi JC, Gusev GM, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Lubyshev DL, Rossi JC, Gusev GM, Basmaji P. Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]

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