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Trabalho de evento-resumo
Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance (2007)
Mello, Ana Paula de Queiroz; Lima, A. P.; Abdalla, Dulcinéia Saes Parra ; Gidlund, Magnus Ake ; Damasceno, Nágila Raquel Teixeira
Source: Abstracts. Conference titles: Free Radicals in Montevideo. Unidades: FCF, ICB, FSP
Subjects: LIPOPROTEÍNAS, OXIDAÇÃO
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ABNT
MELLO, Ana Paula de Queiroz et al. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. 2007, Anais.. Montevideo: Facultad de Medicina/Departamento de Bioquímica, 2007. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Mello, A. P. de Q., Lima, A. P., Abdalla, D. S. P., Gidlund, M. A., & Damasceno, N. R. T. (2007). Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. In Abstracts. Montevideo: Facultad de Medicina/Departamento de Bioquímica.
NLM
Mello AP de Q, Lima AP, Abdalla DSP, Gidlund MA, Damasceno NRT. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. Abstracts. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Mello AP de Q, Lima AP, Abdalla DSP, Gidlund MA, Damasceno NRT. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. Abstracts. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização dos mecanismos de ação do antitumoral etoposido (VP-16) em linfócitos humanos, por análise de morte celular, danos cromossômicos e expressão gênica transcricional (2006)
Oliveira, D. V. N. P.; Brassesco, M. S.; Lima, A. P.; Sakamoto-Hojo, Elza Tiemi
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Genética. Unidade: FFCLRP
Subjects: LINFÓCITOS, APOPTOSE
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ABNT
OLIVEIRA, D. V. N. P. et al. Caracterização dos mecanismos de ação do antitumoral etoposido (VP-16) em linfócitos humanos, por análise de morte celular, danos cromossômicos e expressão gênica transcricional. 2006, Anais.. Foz do Iguaçu: SBG, 2006. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Oliveira, D. V. N. P., Brassesco, M. S., Lima, A. P., & Sakamoto-Hojo, E. T. (2006). Caracterização dos mecanismos de ação do antitumoral etoposido (VP-16) em linfócitos humanos, por análise de morte celular, danos cromossômicos e expressão gênica transcricional. In Resumos. Foz do Iguaçu: SBG.
NLM
Oliveira DVNP, Brassesco MS, Lima AP, Sakamoto-Hojo ET. Caracterização dos mecanismos de ação do antitumoral etoposido (VP-16) em linfócitos humanos, por análise de morte celular, danos cromossômicos e expressão gênica transcricional. Resumos. 2006 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Oliveira DVNP, Brassesco MS, Lima AP, Sakamoto-Hojo ET. Caracterização dos mecanismos de ação do antitumoral etoposido (VP-16) em linfócitos humanos, por análise de morte celular, danos cromossômicos e expressão gênica transcricional. Resumos. 2006 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A ; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Relatorio tecnico
Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Schikora, D; Schottker, B; Kohler, U; As, D J; Lischka, K
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 1999
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Artigo de periodico
Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)
Lima, A. P.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Kaiser, S.; Schikora, D.; Schottker, B.; Frey, T.; Lischka, K.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
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ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 202, p. 396-398, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lima, A. P., Tabata, A., Leite, J. R., Kaiser, S., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 202, 396-398. doi:10.1016/s0022-0248(98)01359-1
NLM
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Vancouver
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Contributions of 'C IND.3' and 'C IND.4' plants to higher trophic levels in an Amazonian savanna (1999)
Magnusson, W. E.; Araujo, M. C.; Cintra, R.; Lima, A. P.; Martinelli, Luiz Antonio ; Sanaiotti, T. M.; Vasconcelos, H. L.; Victoria, Reynaldo Luiz
Source: Oecologia. Unidade: CENA
Assunto: ECOLOGIA APLICADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAGNUSSON, W. E. et al. Contributions of 'C IND.3' and 'C IND.4' plants to higher trophic levels in an Amazonian savanna. Oecologia, v. 119, n. 1, p. 91-96, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Magnusson, W. E., Araujo, M. C., Cintra, R., Lima, A. P., Martinelli, L. A., Sanaiotti, T. M., et al. (1999). Contributions of 'C IND.3' and 'C IND.4' plants to higher trophic levels in an Amazonian savanna. Oecologia, 119( 1), 91-96.
NLM
Magnusson WE, Araujo MC, Cintra R, Lima AP, Martinelli LA, Sanaiotti TM, Vasconcelos HL, Victoria RL. Contributions of 'C IND.3' and 'C IND.4' plants to higher trophic levels in an Amazonian savanna. Oecologia. 1999 ; 119( 1): 91-96.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Magnusson WE, Araujo MC, Cintra R, Lima AP, Martinelli LA, Sanaiotti TM, Vasconcelos HL, Victoria RL. Contributions of 'C IND.3' and 'C IND.4' plants to higher trophic levels in an Amazonian savanna. Oecologia. 1999 ; 119( 1): 91-96.[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose (1998)
Laranja-da-Fonseca, Luís Fernando; Lucci, Carlos de Sousa; Rodrigues, Paulo Henrique Mazza ; Santos, Marcos Veiga dos ; Lima, A. P.
Source: Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Conference titles: American Dairy Science Association and American Society of Animal Science Joint Meeting. Unidade: FMVZ
Subjects: BOVINOCULTURA LEITEIRA, NUTRIÇÃO ANIMAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARANJA-DA-FONSECA, Luís Fernando et al. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Cary: Oxford University Press. . Acesso em: 02 nov. 2025. , 1998
APA
Laranja-da-Fonseca, L. F., Lucci, C. de S., Rodrigues, P. H. M., Santos, M. V. dos, & Lima, A. P. (1998). Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Cary: Oxford University Press.
NLM
Laranja-da-Fonseca LF, Lucci C de S, Rodrigues PHM, Santos MV dos, Lima AP. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. 1998 ; 76/ 81 320.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Laranja-da-Fonseca LF, Lucci C de S, Rodrigues PHM, Santos MV dos, Lima AP. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. 1998 ; 76/ 81 320.[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs (1998)
Tabata, A; Enderlein, R; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Kaiser, S; Schikora, D; Schoettker, B; Koehler, U; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III-Nitrides and Related Materials International Conference. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 02 nov. 2025. , 1998
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Kaiser, S., et al. (1998). Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS' (1996)
Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Pudenzi, M A A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lima, A. P., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Pudenzi, M. A. A. (1996). Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Pudenzi MAA. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Pudenzi MAA. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Anais. Conference titles: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf

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