Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEVINE, A et al. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Dias, I. F. L., Lauretto, D., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Oliveira, A. G. (1997). New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]