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Artigo de periodico
Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, v. 13, n. 18, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (1999). Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, 13( 18). doi:10.1142/S0217979299002472
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]
Artigo de periodico
Point defect interactions with extended defects in semiconductors (1999)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, v. 60, n. 7, p. 4711-4714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, 60( 7), 4711-4714. doi:10.1103/physrevb.60.4711
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Artigo de periodico
Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977

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