Spin effects in asymmetric n-type GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes (2006)
Santos, L. F. dos; Galeti, H. V. A.; Gobato, Yara Galvão; Marques, Gilmar Eugênio; Carvalho, H. B. de; Brasil, M. J. S. P.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo 
; Henini, M.; Eaves, L.; Hill, G.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLARIZAÇÃO, DIODOS
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ABNT
SANTOS, L. F. dos et al. Spin effects in asymmetric n-type GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes. 2006, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2006. . Acesso em: 18 nov. 2024.APA
Santos, L. F. dos, Galeti, H. V. A., Gobato, Y. G., Marques, G. E., Carvalho, H. B. de, Brasil, M. J. S. P., et al. (2006). Spin effects in asymmetric n-type GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Santos LF dos, Galeti HVA, Gobato YG, Marques GE, Carvalho HB de, Brasil MJSP, Guimarães FEG, Henini M, Eaves L, Hill G. Spin effects in asymmetric n-type GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes. Resumos. 2006 ;[citado 2024 nov. 18 ]Vancouver
Santos LF dos, Galeti HVA, Gobato YG, Marques GE, Carvalho HB de, Brasil MJSP, Guimarães FEG, Henini M, Eaves L, Hill G. Spin effects in asymmetric n-type GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes. Resumos. 2006 ;[citado 2024 nov. 18 ]
