Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria (1994)
Galeazzo, Elisabete 
; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Salcedo, Walter Jaimes ; Tubor, A
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete et al. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 01 nov. 2024.APA
Galeazzo, E., Ramírez Fernandez, F. J., Salcedo, W. J., & Tubor, A. (1994). Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
