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Trabalho de evento-resumo
Probing chemical information in PEO-lithium triflate thin films at nanoscale using IR-SNOM (2016)
Torres, Bruno Bassi Millan; Maia, Francisco Carlos Barbosa; Freitas, Raul de Oliveira; Balogh, Debora Terezia
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, FILMES FINOS
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ABNT
TORRES, Bruno Bassi Millan et al. Probing chemical information in PEO-lithium triflate thin films at nanoscale using IR-SNOM. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2HQ. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Torres, B. B. M., Maia, F. C. B., Freitas, R. de O., & Balogh, D. T. (2016). Probing chemical information in PEO-lithium triflate thin films at nanoscale using IR-SNOM. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2HQ
NLM
Torres BBM, Maia FCB, Freitas R de O, Balogh DT. Probing chemical information in PEO-lithium triflate thin films at nanoscale using IR-SNOM [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2HQ
Vancouver
Torres BBM, Maia FCB, Freitas R de O, Balogh DT. Probing chemical information in PEO-lithium triflate thin films at nanoscale using IR-SNOM [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2HQ
Trabalho de evento-resumo
Direct observation of plasmonic hot spots from the second and third harmonic near-fields in two-dimensional gold nanotriangle arrays (2016)
Salazar, Jorge Ricardo Mejía; Spada, Edna Regina; Freitas, Raul de Oliveira; Maia, Francisco Carlos Barbosa; Faria, Roberto Mendonça ; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
SALAZAR, Jorge Ricardo Mejía et al. Direct observation of plasmonic hot spots from the second and third harmonic near-fields in two-dimensional gold nanotriangle arrays. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6FZ. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Salazar, J. R. M., Spada, E. R., Freitas, R. de O., Maia, F. C. B., Faria, R. M., & Oliveira Junior, O. N. de. (2016). Direct observation of plasmonic hot spots from the second and third harmonic near-fields in two-dimensional gold nanotriangle arrays. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6FZ
NLM
Salazar JRM, Spada ER, Freitas R de O, Maia FCB, Faria RM, Oliveira Junior ON de. Direct observation of plasmonic hot spots from the second and third harmonic near-fields in two-dimensional gold nanotriangle arrays [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6FZ
Vancouver
Salazar JRM, Spada ER, Freitas R de O, Maia FCB, Faria RM, Oliveira Junior ON de. Direct observation of plasmonic hot spots from the second and third harmonic near-fields in two-dimensional gold nanotriangle arrays [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6FZ
Tese (Doutorado)
Difração bragg-superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs (2011)
Freitas, Raul de Oliveira; Morelhão, Sérgio Luiz (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira. Difração bragg-superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O. (2011). Difração bragg-superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Freitas R de O. Difração bragg-superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs. 2011 ;[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Freitas R de O. Difração bragg-superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs. 2011 ;[citado 2024 set. 27 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Diaz, Beatriz; Abramof, Eduardo; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Conference titles: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 27 set. 2024. , 2009
APA
Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
NLM
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Vancouver
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Artigo de periodico
Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
NLM
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Vancouver
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Artigo de periodico
Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system (2007)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, v. 204, n. 8, p. 2548-2454, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2007). Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, 204( 8), 2548-2454. doi:10.1002/pssa.200675673
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Trabalho de evento-resumo
Combining synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices (2006)
Lamas, Tomás; Morelhão, Sérgio Luiz; Perrotta, André; Quivy, A. A.; Freitas, Raul de Oliveira
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat). Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), SEMICONDUTORES
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ABNT
LAMAS, Tomás et al. Combining synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Lamas, T., Morelhão, S. L., Perrotta, A., Quivy, A. A., & Freitas, R. de O. (2006). Combining synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. In Poster Session. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf
NLM
Lamas T, Morelhão SL, Perrotta A, Quivy AA, Freitas R de O. Combining synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. Poster Session. 2006 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf
Vancouver
Lamas T, Morelhão SL, Perrotta A, Quivy AA, Freitas R de O. Combining synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. Poster Session. 2006 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf
Trabalho de evento
Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices (2006)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2006). Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron (2004)
Freitas, Raul de Oliveira; Avanci, Luis Humberto; Quivy, André Alain
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO;SIMPÓSIOS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e AVANCI, Luis Humberto e QUIVY, André Alain. Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron. 2004, Anais.. São Paulo: USP, 2004. . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Avanci, L. H., & Quivy, A. A. (2004). Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Freitas R de O, Avanci LH, Quivy AA. Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Freitas R de O, Avanci LH, Quivy AA. Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 27 ]

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