Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS). Unidade: IQ
Assuntos: RUTÊNIO, FOTOQUÍMICA INORGÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, G. et al. Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with Ruthenium complexes. 2007, Anais.. Colorado: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 2007. . Acesso em: 22 ago. 2024.APA
Santos, G., Fonseca, Â. M. da, Andrade, A. M. de, Patrocínio, A. O. T., Mizoguchi, S. K., Iha, N. Y. M., et al. (2007). Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with Ruthenium complexes. In Abstracts. Colorado: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.NLM
Santos G, Fonseca ÂM da, Andrade AM de, Patrocínio AOT, Mizoguchi SK, Iha NYM, Peres M, Simões W, Monteiro T, Pereira L. Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with Ruthenium complexes. Abstracts. 2007 ;[citado 2024 ago. 22 ]Vancouver
Santos G, Fonseca ÂM da, Andrade AM de, Patrocínio AOT, Mizoguchi SK, Iha NYM, Peres M, Simões W, Monteiro T, Pereira L. Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with Ruthenium complexes. Abstracts. 2007 ;[citado 2024 ago. 22 ]