Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
Source: JournalofLuminescence. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 10 out. 2024.APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
