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Artigo de periodico
Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs (1998)
Miwa, Roberto Hiroki; Ferraz, A. C.; Rodrigues, W N; Chachan, H
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs. Surface Science, v. 415, n. 1-2, p. se 30, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Miwa, R. H., Ferraz, A. C., Rodrigues, W. N., & Chachan, H. (1998). Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs. Surface Science, 415( 1-2), se 30. doi:10.1016/s0039-6028(98)00427-0
NLM
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chachan H. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs [Internet]. Surface Science. 1998 ; 415( 1-2): se 30.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chachan H. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs [Internet]. Surface Science. 1998 ; 415( 1-2): se 30.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0
Trabalho de evento-resumo
Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante (1989)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Chachan, H; Alves, J L A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
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ABNT
ALVES, H W L et al. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., Chachan, H., & Alves, J. L. A. (1989). Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 14 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 14 ]
Artigo de periodico
Noble gas atoms as impurities in silicon (1986)
Chachan, H; Alves, J L A; Siqueira, M L; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CHACHAN, H et al. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 347-51, 1986Tradução . . Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Chachan, H., Alves, J. L. A., Siqueira, M. L., & Leite, J. R. (1986). Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 347-51.
NLM
Chachan H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 347-51.[citado 2024 out. 14 ]
Vancouver
Chachan H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 347-51.[citado 2024 out. 14 ]

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