Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTILHO, W M et al. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 28 set. 2024.APA
Castilho, W. M., Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.NLM
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 28 ]Vancouver
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 28 ]