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  • Artigo de periodico

    Substitutional impurities in ppv crystals: an intrinsic donor-acceptor system for high voc photovoltaic devices (2010)

    Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Cavazzoni, Carlo; Caldas, Marilia Junqueira

    Fonte: Journal of Physical Chemistry C : Nanomaterials and Inferfaces 2006. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      CALZOLARI, Arrigo et al. Substitutional impurities in ppv crystals: an intrinsic donor-acceptor system for high voc photovoltaic devices. Journal of Physical Chemistry C : Nanomaterials and Inferfaces 2006, v. 114, n. 45, p. 19535–19539, 2010Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp105765d. Acesso em: 02 nov. 2025.

    • APA

      Calzolari, A., Ruini, A., Cavazzoni, C., & Caldas, M. J. (2010). Substitutional impurities in ppv crystals: an intrinsic donor-acceptor system for high voc photovoltaic devices. Journal of Physical Chemistry C : Nanomaterials and Inferfaces 2006, 114( 45), 19535–19539. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp105765d

    • NLM

      Calzolari A, Ruini A, Cavazzoni C, Caldas MJ. Substitutional impurities in ppv crystals: an intrinsic donor-acceptor system for high voc photovoltaic devices [Internet]. Journal of Physical Chemistry C : Nanomaterials and Inferfaces 2006. 2010 ;114( 45): 19535–19539.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp105765d

    • Vancouver

      Calzolari A, Ruini A, Cavazzoni C, Caldas MJ. Substitutional impurities in ppv crystals: an intrinsic donor-acceptor system for high voc photovoltaic devices [Internet]. Journal of Physical Chemistry C : Nanomaterials and Inferfaces 2006. 2010 ;114( 45): 19535–19539.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp105765d

  • Artigo de periodico

    Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces (2008)

    Bonferroni, Benedetta; Ferretti, Andrea; Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Molinari, Elisa

    Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BONFERRONI, Benedetta et al. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, v. 19, n. 28, p. 285201/1-285201/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201. Acesso em: 02 nov. 2025.

    • APA

      Bonferroni, B., Ferretti, A., Calzolari, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2008). Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, 19( 28), 285201/1-285201/5. doi:10.1088/0957-4484/19/28/285201

    • NLM

      Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201

    • Vancouver

      Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201

  • Trabalho de evento-resumo

    Interfaces for silicon-based molecular electronics: a theoretical study (2007)

    Caldas, Marilia Junqueira ; Cucinotta, Clotilde S; Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Molinari, Elisa; Pignedoli, Carlos; Catellani, Carlo

    Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      CALDAS, Marilia Junqueira et al. Interfaces for silicon-based molecular electronics: a theoretical study. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R1286-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.

    • APA

      Caldas, M. J., Cucinotta, C. S., Calzolari, A., Ruini, A., Molinari, E., Pignedoli, C., & Catellani, C. (2007). Interfaces for silicon-based molecular electronics: a theoretical study. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R1286-1.pdf

    • NLM

      Caldas MJ, Cucinotta CS, Calzolari A, Ruini A, Molinari E, Pignedoli C, Catellani C. Interfaces for silicon-based molecular electronics: a theoretical study [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R1286-1.pdf

    • Vancouver

      Caldas MJ, Cucinotta CS, Calzolari A, Ruini A, Molinari E, Pignedoli C, Catellani C. Interfaces for silicon-based molecular electronics: a theoretical study [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R1286-1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Surface derelaxation and bandgap control through styrene adsorption on Si(100) (2005)

    Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Molinari, Elisa

    Fonte: Program. Nome do evento: European Conference on Surface Science. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CALZOLARI, Arrigo et al. Surface derelaxation and bandgap control through styrene adsorption on Si(100). 2005, Anais.. Berlin: Freie Universität Berlin, 2005. Disponível em: http://www.ctw-congress.de/scripts/abs-view/abstract.php?id=26944&topic=413&inkl_ps=Y&kid=33&praes=77. Acesso em: 02 nov. 2025.

    • APA

      Calzolari, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2005). Surface derelaxation and bandgap control through styrene adsorption on Si(100). In Program. Berlin: Freie Universität Berlin. Recuperado de http://www.ctw-congress.de/scripts/abs-view/abstract.php?id=26944&topic=413&inkl_ps=Y&kid=33&praes=77

    • NLM

      Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Surface derelaxation and bandgap control through styrene adsorption on Si(100) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.ctw-congress.de/scripts/abs-view/abstract.php?id=26944&topic=413&inkl_ps=Y&kid=33&praes=77

    • Vancouver

      Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Surface derelaxation and bandgap control through styrene adsorption on Si(100) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.ctw-congress.de/scripts/abs-view/abstract.php?id=26944&topic=413&inkl_ps=Y&kid=33&praes=77
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