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  • Source: Methods for Electrocatalysis. Unidade: IQ

    Subjects: ELETROCATÁLISE, SÍNTESE QUÍMICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUIMARÃES, Robson Raphael et al. Single-atom electrocatalysts for water splitting. Methods for Electrocatalysis. Tradução . Cham: Springer, 2020. . . Acesso em: 02 out. 2024.
    • APA

      Guimarães, R. R., Gonçalves, J. M., Björneholm, O., Araujo, C. M., Brito, A. N. de, & Araki, K. (2020). Single-atom electrocatalysts for water splitting. In Methods for Electrocatalysis. Cham: Springer.
    • NLM

      Guimarães RR, Gonçalves JM, Björneholm O, Araujo CM, Brito AN de, Araki K. Single-atom electrocatalysts for water splitting. In: Methods for Electrocatalysis. Cham: Springer; 2020. [citado 2024 out. 02 ]
    • Vancouver

      Guimarães RR, Gonçalves JM, Björneholm O, Araujo CM, Brito AN de, Araki K. Single-atom electrocatalysts for water splitting. In: Methods for Electrocatalysis. Cham: Springer; 2020. [citado 2024 out. 02 ]
  • Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 02 out. 2024.
    • APA

      Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
    • NLM

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
    • Vancouver

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1

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