ReP USP - Resultado da busca

Relatorio tecnico
Bundling up carbon nanotubes through wigner defects (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assunto: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. Bundling up carbon nanotubes through wigner defects. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0410475.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Antonelli, A., & Fazzio, A. (2020). Bundling up carbon nanotubes through wigner defects. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0410475.pdf
NLM
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. Bundling up carbon nanotubes through wigner defects [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0410475.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. Bundling up carbon nanotubes through wigner defects [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0410475.pdf
Relatorio tecnico
Orientational defects in ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements (2020)
Koning, Maurice de; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assunto: CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
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ABNT
KONING, Maurice de et al. Orientational defects in ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0512401.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026. , 2020
APA
Koning, M. de, Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Orientational defects in ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0512401.pdf
NLM
Koning M de, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Orientational defects in ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0512401.pdf
Vancouver
Koning M de, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Orientational defects in ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0512401.pdf
Relatorio tecnico
A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Antonelli, A., & Fazzio, A. (2020). A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
NLM
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Artigo de periodico
On the nature of the solvated electron in ice 'I IND. h' (2016)
Koning, Maurice de; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: ELÉTRONS, DINÂMICA
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ABNT
KONING, Maurice de et al. On the nature of the solvated electron in ice 'I IND. h'. Physical Chemistry Chemical Physics, v. fe 2016, n. 6, p. 4652-4658, 2016Tradução . . Disponível em: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c5cp06229b#!divAbstract. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Koning, M. de, Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2016). On the nature of the solvated electron in ice 'I IND. h'. Physical Chemistry Chemical Physics, fe 2016( 6), 4652-4658. doi:10.1039/c5cp06229b
NLM
Koning M de, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. On the nature of the solvated electron in ice 'I IND. h' [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2016 ; fe 2016( 6): 4652-4658.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c5cp06229b#!divAbstract
Vancouver
Koning M de, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. On the nature of the solvated electron in ice 'I IND. h' [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2016 ; fe 2016( 6): 4652-4658.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c5cp06229b#!divAbstract
Artigo de periodico
Hosting of 'LA' POT. 3+' guest ions in type-I 'GE' clathrates: a first-principles characterization for thermoelectric applications (2016)
Gonzalez-Romero, Robert L.; Avila, Marcos A.; Antonelli, Alex; Miranda, Caetano Rodrigues
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: CONDUTIVIDADE TÉRMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GONZALEZ-ROMERO, Robert L. et al. Hosting of 'LA' POT. 3+' guest ions in type-I 'GE' clathrates: a first-principles characterization for thermoelectric applications. Computational Materials Science, v. 122, p. 46-56, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2016.05.013. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Gonzalez-Romero, R. L., Avila, M. A., Antonelli, A., & Miranda, C. R. (2016). Hosting of 'LA' POT. 3+' guest ions in type-I 'GE' clathrates: a first-principles characterization for thermoelectric applications. Computational Materials Science, 122, 46-56. doi:10.1016/j.commatsci.2016.05.013
NLM
Gonzalez-Romero RL, Avila MA, Antonelli A, Miranda CR. Hosting of 'LA' POT. 3+' guest ions in type-I 'GE' clathrates: a first-principles characterization for thermoelectric applications [Internet]. Computational Materials Science. 2016 ; 122 46-56.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2016.05.013
Vancouver
Gonzalez-Romero RL, Avila MA, Antonelli A, Miranda CR. Hosting of 'LA' POT. 3+' guest ions in type-I 'GE' clathrates: a first-principles characterization for thermoelectric applications [Internet]. Computational Materials Science. 2016 ; 122 46-56.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2016.05.013
Artigo de periodico
Divacancies in graphene and carbon nanotubes (2007)
Amorin, Rodrigo G; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex; Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
AMORIN, Rodrigo G et al. Divacancies in graphene and carbon nanotubes. Nano Letters, v. 7, n. 8, p. 2459-2462, 2007Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2007/7/i08/pdf/nl071217v.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Amorin, R. G., Fazzio, A., Antonelli, A., Novaes, F. D., & Silva, A. J. R. da. (2007). Divacancies in graphene and carbon nanotubes. Nano Letters, 7( 8), 2459-2462. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2007/7/i08/pdf/nl071217v.pdf
NLM
Amorin RG, Fazzio A, Antonelli A, Novaes FD, Silva AJR da. Divacancies in graphene and carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2007 ;7( 8): 2459-2462.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2007/7/i08/pdf/nl071217v.pdf
Vancouver
Amorin RG, Fazzio A, Antonelli A, Novaes FD, Silva AJR da. Divacancies in graphene and carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2007 ;7( 8): 2459-2462.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2007/7/i08/pdf/nl071217v.pdf
Artigo de periodico
Structure and energetics of molecular point defects in ice "I IND.h" (2006)
Koning, Maurice de; Antonelli, Alex; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KONING, Maurice de et al. Structure and energetics of molecular point defects in ice "I IND.h". Physical Review Letters, v. 97, n. 15, p. 155501/1-155501/4, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000097000015155501000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Koning, M. de, Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Structure and energetics of molecular point defects in ice "I IND.h". Physical Review Letters, 97( 15), 155501/1-155501/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000097000015155501000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Structure and energetics of molecular point defects in ice "I IND.h" [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;97( 15): 155501/1-155501/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000097000015155501000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Structure and energetics of molecular point defects in ice "I IND.h" [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;97( 15): 155501/1-155501/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000097000015155501000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento
Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes (2006)
Amorim, Rodrigo G; Novaes, Frederico D; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da; Antonelli, Alex
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMORIM, Rodrigo G et al. Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0030-1.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Amorim, R. G., Novaes, F. D., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Antonelli, A. (2006). Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0030-1.pdf
NLM
Amorim RG, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0030-1.pdf
Vancouver
Amorim RG, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0030-1.pdf
Trabalho de evento
Ab initio study for N 'H IND.3' sensors based on C'N IND. x' nanotubes (2006)
Rossi, Mariana; Novaes, Frederico D; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da; Antonelli, Alex
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSI, Mariana et al. Ab initio study for N 'H IND.3' sensors based on C'N IND. x' nanotubes. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0094-1.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Rossi, M., Novaes, F. D., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Antonelli, A. (2006). Ab initio study for N 'H IND.3' sensors based on C'N IND. x' nanotubes. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0094-1.pdf
NLM
Rossi M, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Ab initio study for N 'H IND.3' sensors based on C'N IND. x' nanotubes [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0094-1.pdf
Vancouver
Rossi M, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Ab initio study for N 'H IND.3' sensors based on C'N IND. x' nanotubes [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0094-1.pdf
Artigo de periodico
Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements (2006)
Koning, M de; Antonelli, Alex; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KONING, M de et al. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. Physical Review Letters, v. 96, n. 7, p. 075501/1-075501/4, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Koning, M. de, Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. Physical Review Letters, 96( 7), 075501/1-075501/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;96( 7): 075501/1-075501/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;96( 7): 075501/1-075501/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ice: defects on the rocks (2005)
Koning, Maurice de; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Antonelli, Alex
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KONING, Maurice de et al. Theoretical studies of ice: defects on the rocks. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Koning, M. de, Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Antonelli, A. (2005). Theoretical studies of ice: defects on the rocks. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
NLM
Koning M de, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Theoretical studies of ice: defects on the rocks [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
Vancouver
Koning M de, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Theoretical studies of ice: defects on the rocks [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Bundling up carbon nanotubes through Wigner defects (2005)
Silva, Antônio J. R. da; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antônio J. R. da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Bundling up carbon nanotubes through Wigner defects. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1288-1.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2005). Bundling up carbon nanotubes through Wigner defects. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1288-1.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner defects [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1288-1.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner defects [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1288-1.pdf
Artigo de periodico
Bundling up carbon nanotubes through Wigner (2005)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Bundling up carbon nanotubes through Wigner. Nano Letters, v. 5, n. 6, p. 1045-1049, 2005Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2005). Bundling up carbon nanotubes through Wigner. Nano Letters, 5( 6), 1045-1049. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 6): 1045-1049.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 6): 1045-1049.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
Trabalho de evento
Defects, mechanical properties, and charge transport in carbon nanotubes (2005)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Novaes, Frederico D; Rossi, Mariana; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Defects, mechanical properties, and charge transport in carbon nanotubes. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0140-1.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Silva, A. J. R. da, Novaes, F. D., Rossi, M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2005). Defects, mechanical properties, and charge transport in carbon nanotubes. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0140-1.pdf
NLM
Silva AJR da, Novaes FD, Rossi M, Fazzio A, Antonelli A. Defects, mechanical properties, and charge transport in carbon nanotubes [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0140-1.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Novaes FD, Rossi M, Fazzio A, Antonelli A. Defects, mechanical properties, and charge transport in carbon nanotubes [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0140-1.pdf
Artigo de periodico
Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors. Physical Review B, v. 70, p. 193205/1-193205/4, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2004). Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors. Physical Review B, 70, 193205/1-193205/4. doi:10.1103/physrevb.70.193205
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193205/1-193205/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193205/1-193205/4.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205
Relatorio tecnico
A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf. Acesso em: 29 abr. 2026. , 2003
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2003). A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2003 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2003 ;[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2026 abr. 29 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2026 abr. 29 ]
Artigo de periodico
Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 5892-5895, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, 91( 9), 5892-5895. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 48, p. 12761-12765, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 48), 12761-12765. doi:10.1088/0953-8984/14/48/314
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 29 abr. 2026.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8

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