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Artigo de periodico
Integer quantum hall effect in a PbTe quantum well (2006)
Chitta, Valmir Antonio ; Desrat, W; Maude, D K; Piot, B A; Oliveira Jr., N. F.; Rappl, P H O; Ueta, A Y; Abramof, E
Source: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF
Subjects: EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Integer quantum hall effect in a PbTe quantum well. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, v. 34, n. 1-2, p. 124-127, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.108. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Chitta, V. A., Desrat, W., Maude, D. K., Piot, B. A., Oliveira Jr., N. F., Rappl, P. H. O., et al. (2006). Integer quantum hall effect in a PbTe quantum well. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 34( 1-2), 124-127. doi:10.1016/j.physe.2006.03.108
NLM
Chitta VA, Desrat W, Maude DK, Piot BA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Integer quantum hall effect in a PbTe quantum well [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 124-127.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.108
Vancouver
Chitta VA, Desrat W, Maude DK, Piot BA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Integer quantum hall effect in a PbTe quantum well [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 124-127.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.108
Artigo de periodico
Roughness and nanoholes in sol-gel thin films (2005)
Antunes, A; Amaral, T; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, E; Morelhao, Sergio Luiz
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
ANTUNES, A et al. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 567-569, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Antunes, A., Amaral, T., Brito, G. E. de S., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2005). Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 567-569. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.078
NLM
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Vancouver
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Artigo de periodico
Nanostructure of sol-gel films by x-ray specular reflectivity (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e BRITO, Giancarlo Esposito de Souza e ABRAMOF, E. Nanostructure of sol-gel films by x-ray specular reflectivity. Applied Physics Letters, v. 80, n. 3, p. 407-409, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436271. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Morelhão, S. L., Brito, G. E. de S., & Abramof, E. (2002). Nanostructure of sol-gel films by x-ray specular reflectivity. Applied Physics Letters, 80( 3), 407-409. doi:10.1063/1.1436271
NLM
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Nanostructure of sol-gel films by x-ray specular reflectivity [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 3): 407-409.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436271
Vancouver
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Nanostructure of sol-gel films by x-ray specular reflectivity [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 3): 407-409.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436271
Trabalho de evento-resumo
UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, José Rafael León; Silva, M. T. O.; Pusep, Yuri A ; Chitta, Valmir Antonio ; Tabata, A; Noriega, O C; Leite, J. R.; Abramof, E; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, José Rafael León et al. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2025 out. 24 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2025 out. 24 ]

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