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Artigo de periodico
Modeling huge photoinduced spin polarons in intrinsic magnetic semiconductors (2021)
Kooten, Sjoerd van ; Gratens, X.; Henriques, Andre
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
KOOTEN, Sjoerd van; GRATENS, X.; HENRIQUES, Andre. Modeling huge photoinduced spin polarons in intrinsic magnetic semiconductors. Physical Review B, Maryland, APS-American Physical Society, v. 103, n. 3, 2021. Disponível em: < https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.035202 > DOI: 10.1103/PhysRevB.103.035202.
APA
Kooten, S. van, Gratens, X., & Henriques, A. (2021). Modeling huge photoinduced spin polarons in intrinsic magnetic semiconductors. Physical Review B, 103( 3). doi:10.1103/PhysRevB.103.035202
NLM
Kooten S van, Gratens X, Henriques A. Modeling huge photoinduced spin polarons in intrinsic magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 103( 3):Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.035202
Vancouver
Kooten S van, Gratens X, Henriques A. Modeling huge photoinduced spin polarons in intrinsic magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 103( 3):Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.035202
Artigo de periodico
Tailoring the physical and chemical properties of Sn1−xCoxO2 nanoparticles: an experimental and theoretical approach (2020)
Aragon, F. F. H. ; Villegas-Lelovsky, L. ; Cabral, L. ; Lima, M. P. ; Aquino, J. C. R. ; Mathpal, M. C. ; Coaquira, J. A. H. ; Silva, S. W. da ; Nagamine, L. C. C. M.; Parreiras, S. O. ; Gastelois, P. L. ; Marques, G. E. ; Macedo, W. A. A.
Source: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), NANOPARTÍCULAS, FÍSICO-QUÍMICA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ISÔMERO, OXIGÊNIO
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ABNT
ARAGON, F. F. H.; VILLEGAS-LELOVSKY, L.; CABRAL, L.; et al. Tailoring the physical and chemical properties of Sn1−xCoxO2 nanoparticles: an experimental and theoretical approach. Physical Chemistry Chemical Physics, Londres, Royal Society of Chemistry, v. 22, n. 6, p. 3702-3714, 2020. Disponível em: < https://doi.org/10.1039/C9CP05928H > DOI: 10.1039/C9CP05928H.
APA
Aragon, F. F. H., Villegas-Lelovsky, L., Cabral, L., Lima, M. P., Aquino, J. C. R., Mathpal, M. C., et al. (2020). Tailoring the physical and chemical properties of Sn1−xCoxO2 nanoparticles: an experimental and theoretical approach. Physical Chemistry Chemical Physics, 22( 6), 3702-3714. doi:10.1039/C9CP05928H
NLM
Aragon FFH, Villegas-Lelovsky L, Cabral L, Lima MP, Aquino JCR, Mathpal MC, Coaquira JAH, Silva SW da, Nagamine LCCM, Parreiras SO, Gastelois PL, Marques GE, Macedo WAA. Tailoring the physical and chemical properties of Sn1−xCoxO2 nanoparticles: an experimental and theoretical approach [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2020 ; 22( 6): 3702-3714.Available from: https://doi.org/10.1039/C9CP05928H
Vancouver
Aragon FFH, Villegas-Lelovsky L, Cabral L, Lima MP, Aquino JCR, Mathpal MC, Coaquira JAH, Silva SW da, Nagamine LCCM, Parreiras SO, Gastelois PL, Marques GE, Macedo WAA. Tailoring the physical and chemical properties of Sn1−xCoxO2 nanoparticles: an experimental and theoretical approach [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2020 ; 22( 6): 3702-3714.Available from: https://doi.org/10.1039/C9CP05928H
Artigo de periodico
Two-dimensional topological insulator state in double HgTe quantum well (2020)
Gusev, Gennady ; Olshanetsky, E. B.; Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez ; Raichev, Oleg ; Mikhailov, N. N.; Dvoretskiy, Sergey
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA QUÂNTICA, SIMETRIA (FÍSICA DE PARTÍCULAS), SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), ELETRÔNICA QUÂNTICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
GUSEV, Gennady; OLSHANETSKY, E. B.; HERNANDEZ, Felix Guillermo Gonzalez; et al. Two-dimensional topological insulator state in double HgTe quantum well. Physical Review B, Maryland, American Physical Society, v. 101, n. 24, 2020. Disponível em: < https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.241302 > DOI: 10.1103/PhysRevB.101.241302.
APA
Gusev, G., Olshanetsky, E. B., Hernandez, F. G. G., Raichev, O., Mikhailov, N. N., & Dvoretskiy, S. (2020). Two-dimensional topological insulator state in double HgTe quantum well. Physical Review B, 101( 24). doi:10.1103/PhysRevB.101.241302
NLM
Gusev G, Olshanetsky EB, Hernandez FGG, Raichev O, Mikhailov NN, Dvoretskiy S. Two-dimensional topological insulator state in double HgTe quantum well [Internet]. Physical Review B. 2020 ; 101( 24):Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.241302
Vancouver
Gusev G, Olshanetsky EB, Hernandez FGG, Raichev O, Mikhailov NN, Dvoretskiy S. Two-dimensional topological insulator state in double HgTe quantum well [Internet]. Physical Review B. 2020 ; 101( 24):Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.241302
Artigo de periodico
Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides (2020)
Gratens, X. ; Yunbo Ou ; Moodera, J. S.; Rappl, P. H. O.; Henriques, A. B.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FERROMAGNETISMO, CALCOGÊNIOS
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ABNT
GRATENS, X.; YUNBO OU,; MOODERA, J. S.; RAPPL, P. H. O.; HENRIQUES, A. B. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, Maryland, AIP Publishing, v. 116, n. 15, 2020. Disponível em: < https://doi.org/10.1063/1.5143311 > DOI: 10.1063/1.5143311.
APA
Gratens, X., Yunbo Ou,, Moodera, J. S., Rappl, P. H. O., & Henriques, A. B. (2020). Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, 116( 15). doi:10.1063/1.5143311
NLM
Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
Vancouver
Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
Artigo de periodico
SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil (2020)
Aguiar, Vitor ; Medina, Nilberto Heder ; Added, Nemitala ; Macchione, E. L. A.; Alberton, S. G.; Leite, A. R. ; Aguirre, F. R.; Ribas, R. V.; Perego, C. C.; Fagundes, L. M.; Terassi, J. C.; Brage, J. A. P.; Simões, R. F.; Morais, O. B.; Almeida, E. A.; Joaquim, P. M.; Souza, M. S.; Cecotte, A. F. M.; Martins, R.; Duarte, J. G. ; Scarduelli, V. B.; Allegro, P. R. P.; Escudeiro, R.; Leistenschneider, E.; Oliveira, R. A. N.; Servelo, W. A.; Silva, M. T.; Sarmento, V. E.; Carreira, C. A.; Abreu, J. C.; Silva, S. C.; Santos, H. C.; Rodrigues, C. L.; Assis, R. F.; Silva, T. F. ; Tabacniks, Manfredo Harri ; Joaquim, A. S.; Minas, J. H. P.; Kashinskiy, D.; Guazzelli, M. A. ; Seixas Jr., L. E. ; Finco, S.; Benevenutti, F.
Source: AIP Review of Scientific Instruments. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), ACELERADOR DE PARTÍCULAS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
AGUIAR, Vitor; MEDINA, Nilberto Heder; ADDED, Nemitala; et al. SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil. AIP Review of Scientific Instruments, New York, AIP Publishing, v. 91, n. 5, 2020. Disponível em: < https://doi.org/10.1063/1.5138644 > DOI: 10.1063/1.5138644.
APA
Aguiar, V., Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Alberton, S. G., Leite, A. R., et al. (2020). SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil. AIP Review of Scientific Instruments, 91( 5). doi:10.1063/1.5138644
NLM
Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Alberton SG, Leite AR, Aguirre FR, Ribas RV, Perego CC, Fagundes LM, Terassi JC, Brage JAP, Simões RF, Morais OB, Almeida EA, Joaquim PM, Souza MS, Cecotte AFM, Martins R, Duarte JG, Scarduelli VB, Allegro PRP, Escudeiro R, Leistenschneider E, Oliveira RAN, Servelo WA, Silva MT, Sarmento VE, Carreira CA, Abreu JC, Silva SC, Santos HC, Rodrigues CL, Assis RF, Silva TF, Tabacniks MH, Joaquim AS, Minas JHP, Kashinskiy D, Guazzelli MA, Seixas Jr. LE, Finco S, Benevenutti F. SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil [Internet]. AIP Review of Scientific Instruments. 2020 ; 91( 5):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138644
Vancouver
Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Alberton SG, Leite AR, Aguirre FR, Ribas RV, Perego CC, Fagundes LM, Terassi JC, Brage JAP, Simões RF, Morais OB, Almeida EA, Joaquim PM, Souza MS, Cecotte AFM, Martins R, Duarte JG, Scarduelli VB, Allegro PRP, Escudeiro R, Leistenschneider E, Oliveira RAN, Servelo WA, Silva MT, Sarmento VE, Carreira CA, Abreu JC, Silva SC, Santos HC, Rodrigues CL, Assis RF, Silva TF, Tabacniks MH, Joaquim AS, Minas JHP, Kashinskiy D, Guazzelli MA, Seixas Jr. LE, Finco S, Benevenutti F. SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil [Internet]. AIP Review of Scientific Instruments. 2020 ; 91( 5):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138644
Artigo de periodico
Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition (2020)
Silva, A. Ferreira da ; Sandoval, M. A. Toloza ; Levine, A. ; Levinson, E.; Boudinov, H.; Sernelius, B. E.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MAGNETOQUÍMICA
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ABNT
SILVA, A. Ferreira da; SANDOVAL, M. A. Toloza; LEVINE, A.; et al. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition. Journal of Applied Physics, Maryland, AIP Publishing, v. 127, n. 4, 2020. Disponível em: < https://doi.org/10.1063/1.5125882 > DOI: 10.1063/1.5125882.
APA
Silva, A. F. da, Sandoval, M. A. T., Levine, A., Levinson, E., Boudinov, H., & Sernelius, B. E. (2020). Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition. Journal of Applied Physics, 127( 4). doi:10.1063/1.5125882
NLM
Silva AF da, Sandoval MAT, Levine A, Levinson E, Boudinov H, Sernelius BE. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 127( 4):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125882
Vancouver
Silva AF da, Sandoval MAT, Levine A, Levinson E, Boudinov H, Sernelius BE. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 127( 4):Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125882
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of Niobium-Doped Titanium Oxide (2020)
Atambo, M. O.; Varsano, D.; Ferretti, A.; Ataei, S. S.; Molinari, E.; Selloni, A.; Caldas, Marilia Junqueira
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), TITÂNIO, NIÓBIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ATAMBO, M. O.; VARSANO, D.; FERRETTI, A.; et al. Theoretical study of Niobium-Doped Titanium Oxide. Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020.Disponível em: .
APA
Atambo, M. O., Varsano, D., Ferretti, A., Ataei, S. S., Molinari, E., Selloni, A., & Caldas, M. J. (2020). Theoretical study of Niobium-Doped Titanium Oxide. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0429-1.pdf
NLM
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei SS, Molinari E, Selloni A, Caldas MJ. Theoretical study of Niobium-Doped Titanium Oxide [Internet]. 2020 ;Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0429-1.pdf
Vancouver
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei SS, Molinari E, Selloni A, Caldas MJ. Theoretical study of Niobium-Doped Titanium Oxide [Internet]. 2020 ;Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0429-1.pdf
Relatorio tecnico
Electronic and optical properties of doped 'TI''O' IND. 2' by many-body perturbation theory (2019)
Atambo, Michael O.; Varsano, Daniele; Ferretti, Andrea; Ataei, S. Samaneh; Molinari, Elisa; Selloni, Annabella; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), NANOCIÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ATAMBO, Michael O.; VARSANO, Daniele; FERRETTI, Andrea; et al. Electronic and optical properties of doped 'TI''O' IND. 2' by many-body perturbation theory. [S.l: s.n.], 2019.Disponível em: .
APA
Atambo, M. O., Varsano, D., Ferretti, A., Ataei, S. S., Molinari, E., Selloni, A., & CALDAS, M. A. R. I. L. I. A. J. U. N. Q. U. E. I. R. A. (2019). Electronic and optical properties of doped 'TI''O' IND. 2' by many-body perturbation theory. São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1811.04280
NLM
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei SS, Molinari E, Selloni A, CALDAS MARILIAJUNQUEIRA. Electronic and optical properties of doped 'TI''O' IND. 2' by many-body perturbation theory [Internet]. 2019 ;Available from: https://arxiv.org/abs/1811.04280
Vancouver
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei SS, Molinari E, Selloni A, CALDAS MARILIAJUNQUEIRA. Electronic and optical properties of doped 'TI''O' IND. 2' by many-body perturbation theory [Internet]. 2019 ;Available from: https://arxiv.org/abs/1811.04280
Artigo de periodico
Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2019)
Morelhão, Sérgio L. ; Kycia, Stefan W.; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Subjects: RADIAÇÃO SINCROTRON, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CRISTALOGRAFIA, BISMUTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio L.; KYCIA, Stefan W.; NETZKE, Samuel; et al. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, Washington, American Chemical Society, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, 2019. Disponível em: < https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377 > DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b05377.
APA
Morelhão, S. L., Kycia, S. W., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2019). Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, 123( 40), 24818-24825. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05377
NLM
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
Vancouver
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
Tese
Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials (2019)
Bastos, Carlos Maciél de Oliveira; Sipahi, Guilherme Matos (Orientador); Silva, Juarez Lopes Ferreira da (Co-orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos Maciél de Oliveira; SIPAHI, Guilherme Matos; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials. 2019.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: < https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18052020-145201/pt-br.php >.
APA
Bastos, C. M. de O., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2019). Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18052020-145201/pt-br.php
NLM
Bastos CM de O, Sipahi GM, Silva JLF da. Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials [Internet]. 2019 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18052020-145201/pt-br.php
Vancouver
Bastos CM de O, Sipahi GM, Silva JLF da. Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials [Internet]. 2019 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18052020-145201/pt-br.php
Artigo de periodico
Electronic and optical properties of doped TiO2 by many-body perturbation theory (2019)
Atambo, Michael O.; Varsano, Daniele; Ferretti, Andrea; Ataei, Samaneh; Caldas, Marilia Junqueira; Molinari, Elisa; Selloni, Annabella
Source: Physical Review Materials. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), NANOCIÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ATAMBO, Michael O.; VARSANO, Daniele; FERRETTI, Andrea; et al. Electronic and optical properties of doped TiO2 by many-body perturbation theory. Physical Review Materials, Maryland, American Physical Society, v. 3, n. 4, 2019. Disponível em: < http://lattes.cnpq.br/7364478567235458 > DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.045401.
APA
Atambo, M. O., Varsano, D., Ferretti, A., Ataei, S., Caldas, M. J., Molinari, E., & Selloni, A. (2019). Electronic and optical properties of doped TiO2 by many-body perturbation theory. Physical Review Materials, 3( 4). doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.045401
NLM
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei S, Caldas MJ, Molinari E, Selloni A. Electronic and optical properties of doped TiO2 by many-body perturbation theory [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4):Available from: http://lattes.cnpq.br/7364478567235458
Vancouver
Atambo MO, Varsano D, Ferretti A, Ataei S, Caldas MJ, Molinari E, Selloni A. Electronic and optical properties of doped TiO2 by many-body perturbation theory [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4):Available from: http://lattes.cnpq.br/7364478567235458
Tese
Caracterização dosimétrica e modelagem computacional de um detector do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (2019)
Souza,^Clayton^Henrique^de; Shorto, Julian Marco Barbosa (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: DOSIMETRIA, DOSÍMETROS, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), DIFRAÇÃO POR RAIOS X, CÉSIO, COBALTO, SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, OXIDAÇÃO, COMPUTAÇÃO APLICADA, MATEMÁTICA DA COMPUTAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, ^Clayton^Henrique^de; SHORTO, Julian Marco Barbosa. Caracterização dosimétrica e modelagem computacional de um detector do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. 2019.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019.
APA
Souza, ^C. ^H. ^de, & Shorto, J. M. B. (2019). Caracterização dosimétrica e modelagem computacional de um detector do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Souza ^C^H^de, Shorto JMB. Caracterização dosimétrica e modelagem computacional de um detector do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. 2019 ;
Vancouver
Souza ^C^H^de, Shorto JMB. Caracterização dosimétrica e modelagem computacional de um detector do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. 2019 ;
Artigo de periodico
Fluorescence-quenching CdTe quantum dots applied for identification of cocaine-structure analogues (2019)
Alves, Jacqueline Querino; Máximo, Leandro Nériton Cândido; Franco, Lilian Pereira; Silva, Roberto Santana da ; Oliveira, Marcelo Falcão de
Source: Analytical Methods. Unidades: FCFRP, EESC, FFCLRP
Subjects: COCAÍNA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), ESPECTROSCOPIA, FLUORESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, Jacqueline Querino; MÁXIMO, Leandro Nériton Cândido; FRANCO, Lilian Pereira; SILVA, Roberto Santana da; OLIVEIRA, Marcelo Falcão de. Fluorescence-quenching CdTe quantum dots applied for identification of cocaine-structure analogues. Analytical Methods, Cambridge, v. 11, n. 2, p. 185-191, 2019. Disponível em: < https://doi.org/10.1039/C8AY02243G > DOI: 10.1039/C8AY02243G.
APA
Alves, J. Q., Máximo, L. N. C., Franco, L. P., Silva, R. S. da, & Oliveira, M. F. de. (2019). Fluorescence-quenching CdTe quantum dots applied for identification of cocaine-structure analogues. Analytical Methods, 11( 2), 185-191. doi:10.1039/C8AY02243G
NLM
Alves JQ, Máximo LNC, Franco LP, Silva RS da, Oliveira MF de. Fluorescence-quenching CdTe quantum dots applied for identification of cocaine-structure analogues [Internet]. Analytical Methods. 2019 ; 11( 2): 185-191.Available from: https://doi.org/10.1039/C8AY02243G
Vancouver
Alves JQ, Máximo LNC, Franco LP, Silva RS da, Oliveira MF de. Fluorescence-quenching CdTe quantum dots applied for identification of cocaine-structure analogues [Internet]. Analytical Methods. 2019 ; 11( 2): 185-191.Available from: https://doi.org/10.1039/C8AY02243G
Artigo de periodico
Mechanistic insights and controlled synthesis of radioluminescent ZnSe quantum dots using a microfluidic reactor (2018)
Guidelli, Eder José ; Lignos, Ioannis ; Yoo, Jason Jungwan ; Lusardi, Marcella; Bawendi, Moungi G. ; Baffa, Oswaldo ; Jensen, Klavs F.
Source: Chemistry of Materials. Unidade: FFCLRP
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROS, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUIDELLI, Eder José; LIGNOS, Ioannis; YOO, Jason Jungwan; et al. Mechanistic insights and controlled synthesis of radioluminescent ZnSe quantum dots using a microfluidic reactor. Chemistry of Materials, Washington, v. 30, n. 23, p. 8562-8570, 2018. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03587 > DOI: 10.1021/acs.chemmater.8b03587.
APA
Guidelli, E. J., Lignos, I., Yoo, J. J., Lusardi, M., Bawendi, M. G., Baffa, O., & Jensen, K. F. (2018). Mechanistic insights and controlled synthesis of radioluminescent ZnSe quantum dots using a microfluidic reactor. Chemistry of Materials, 30( 23), 8562-8570. doi:10.1021/acs.chemmater.8b03587
NLM
Guidelli EJ, Lignos I, Yoo JJ, Lusardi M, Bawendi MG, Baffa O, Jensen KF. Mechanistic insights and controlled synthesis of radioluminescent ZnSe quantum dots using a microfluidic reactor [Internet]. Chemistry of Materials. 2018 ; 30( 23): 8562-8570.Available from: http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03587
Vancouver
Guidelli EJ, Lignos I, Yoo JJ, Lusardi M, Bawendi MG, Baffa O, Jensen KF. Mechanistic insights and controlled synthesis of radioluminescent ZnSe quantum dots using a microfluidic reactor [Internet]. Chemistry of Materials. 2018 ; 30( 23): 8562-8570.Available from: http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03587
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Suomalainen, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano D.; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Source: Abstracts BWSP. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: FZEA
Subjects: NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo; KOIVUSALO, Eero; HAKKARAINEN, Teemu; et al. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si. Anais.. Maresias: [s.n.], 2017.Disponível em: .
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Suomalainen, S., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2017). Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si. In Abstracts BWSP. Maresias. Recuperado de http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si [Internet]. Abstracts BWSP. 2017 ;Available from: http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si [Internet]. Abstracts BWSP. 2017 ;Available from: http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf
Tese
Estudo e desenvolvimento de materiais fotoconversores dopados com íons terras raras para aplicações em células solares (2017)
Muscelli, Wesley Cardoso; Gonçalves, Rogéria Rocha (Orientador)
Unidade: FFCLRP
Subjects: ÍONS, TERRAS RARAS, CÉLULAS SOLARES, PROCESSO SOL-GEL, ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), ENERGIA SOLAR
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ABNT
MUSCELLI, Wesley Cardoso; GONÇALVES, Rogéria Rocha. Estudo e desenvolvimento de materiais fotoconversores dopados com íons terras raras para aplicações em células solares. 2017.Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-09102017-113337/ >.
APA
Muscelli, W. C., & Gonçalves, R. R. (2017). Estudo e desenvolvimento de materiais fotoconversores dopados com íons terras raras para aplicações em células solares. Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-09102017-113337/
NLM
Muscelli WC, Gonçalves RR. Estudo e desenvolvimento de materiais fotoconversores dopados com íons terras raras para aplicações em células solares [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-09102017-113337/
Vancouver
Muscelli WC, Gonçalves RR. Estudo e desenvolvimento de materiais fotoconversores dopados com íons terras raras para aplicações em células solares [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-09102017-113337/
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Suomalainen, Soile; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Source: Abstracts. Conference titles: Optics & Photonics Days. Unidade: FZEA
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo; KOIVUSALO, Eero; HAKKARAINEN, Teemu; et al. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. Anais.. Oulu: [s.n.], 2017.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Suomalainen, S., Galeti, H. V. A., Souto, S. P. A., et al. (2017). Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. In Abstracts. Oulu.
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Galeti HVA, Souto SPA, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. Abstracts. 2017 ;
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Galeti HVA, Souto SPA, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. Abstracts. 2017 ;
Artigo de periodico
Polycrystalline lead iodide films produced by solution evaporation and tested in the mammography X-ray energy range (2016)
Condeles, J. F.; Mulato, Marcelo
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: FFCLRP
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
CONDELES, J. F.; MULATO, Marcelo. Polycrystalline lead iodide films produced by solution evaporation and tested in the mammography X-ray energy range. Journal of Physics and Chemistry of Solids, Kidlington, v. 89, p. 39-44, 2016. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2015.10.012 > DOI: 10.1016/j.jpcs.2015.10.012.
APA
Condeles, J. F., & Mulato, M. (2016). Polycrystalline lead iodide films produced by solution evaporation and tested in the mammography X-ray energy range. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 89, 39-44. doi:10.1016/j.jpcs.2015.10.012
NLM
Condeles JF, Mulato M. Polycrystalline lead iodide films produced by solution evaporation and tested in the mammography X-ray energy range [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2016 ; 89 39-44.Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2015.10.012
Vancouver
Condeles JF, Mulato M. Polycrystalline lead iodide films produced by solution evaporation and tested in the mammography X-ray energy range [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2016 ; 89 39-44.Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2015.10.012
Artigo de periodico
Investigation of organic magnetoresistance dependence on spin-orbit coupling using 8-hydroxyquinolinate rare-earth based complexes (2016)
Carvalho, R. S; Costa, D. G; Ávila, H. C; Paolini, Tiago Becerra; Brito, Hermi Felinto de ; Capaz, Rodrigo B; Cremona, Marco
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IQ
Subjects: TERRAS RARAS, SPIN, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
CARVALHO, R. S; COSTA, D. G; ÁVILA, H. C; et al. Investigation of organic magnetoresistance dependence on spin-orbit coupling using 8-hydroxyquinolinate rare-earth based complexes. Applied Physics Letters, New York, v. 108, n. 20, p. 1-5 art. 203303, 2016. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1063/1.4950864 > DOI: 10.1063/1.4950864.
APA
Carvalho, R. S., Costa, D. G., Ávila, H. C., Paolini, T. B., Brito, H. F. de, Capaz, R. B., & Cremona, M. (2016). Investigation of organic magnetoresistance dependence on spin-orbit coupling using 8-hydroxyquinolinate rare-earth based complexes. Applied Physics Letters, 108( 20), 1-5 art. 203303. doi:10.1063/1.4950864
NLM
Carvalho RS, Costa DG, Ávila HC, Paolini TB, Brito HF de, Capaz RB, Cremona M. Investigation of organic magnetoresistance dependence on spin-orbit coupling using 8-hydroxyquinolinate rare-earth based complexes [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 108( 20): 1-5 art. 203303.Available from: http://dx.doi.org/10.1063/1.4950864
Vancouver
Carvalho RS, Costa DG, Ávila HC, Paolini TB, Brito HF de, Capaz RB, Cremona M. Investigation of organic magnetoresistance dependence on spin-orbit coupling using 8-hydroxyquinolinate rare-earth based complexes [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 108( 20): 1-5 art. 203303.Available from: http://dx.doi.org/10.1063/1.4950864
Artigo de periodico
Batman e semicondutores: uma interface cultural entre o cinema e a física (2015)
Cardoso, Gabriel Vidas; Nascimento Júnior, Francisco de Assis; Piassi, Luís Paulo de Carvalho
Source: Revista de Ensenanza de la Fisica. Unidade: EACH
Subjects: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO), FÍSICA MODERNA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
CARDOSO, Gabriel Vidas; NASCIMENTO JÚNIOR, Francisco de Assis; PIASSI, Luís Paulo de Carvalho. Batman e semicondutores: uma interface cultural entre o cinema e a física. Revista de Ensenanza de la Fisica, Córdoba, v. no 2015. Número especial, p. 365-370, 2015. Disponível em: < http://revistas.unc.edu.ar/index.php/revistaEF/article/view/12675/12915 >.
APA
Cardoso, G. V., Nascimento Júnior, F. de A., & Piassi, L. P. de C. (2015). Batman e semicondutores: uma interface cultural entre o cinema e a física. Revista de Ensenanza de la Fisica, no 2015. Número especial, 365-370. Recuperado de http://revistas.unc.edu.ar/index.php/revistaEF/article/view/12675/12915
NLM
Cardoso GV, Nascimento Júnior F de A, Piassi LP de C. Batman e semicondutores: uma interface cultural entre o cinema e a física [Internet]. Revista de Ensenanza de la Fisica. 2015 ; no 2015. Número especial 365-370.Available from: http://revistas.unc.edu.ar/index.php/revistaEF/article/view/12675/12915
Vancouver
Cardoso GV, Nascimento Júnior F de A, Piassi LP de C. Batman e semicondutores: uma interface cultural entre o cinema e a física [Internet]. Revista de Ensenanza de la Fisica. 2015 ; no 2015. Número especial 365-370.Available from: http://revistas.unc.edu.ar/index.php/revistaEF/article/view/12675/12915

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