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Trabalho de evento-resumo
Simulação de um nanotransistor de grafeno via cálculo Ab initio (2010)
Fazzio, Adalberto
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste (SBF). Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (CONGRESSOS), NANOPARTÍCULAS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Simulação de um nanotransistor de grafeno via cálculo Ab initio. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxviii/programa/XXVIII_EFNNE_Resumos.pdf. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Fazzio, A. (2010). Simulação de um nanotransistor de grafeno via cálculo Ab initio. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxviii/programa/XXVIII_EFNNE_Resumos.pdf
NLM
Fazzio A. Simulação de um nanotransistor de grafeno via cálculo Ab initio [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxviii/programa/XXVIII_EFNNE_Resumos.pdf
Vancouver
Fazzio A. Simulação de um nanotransistor de grafeno via cálculo Ab initio [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxviii/programa/XXVIII_EFNNE_Resumos.pdf
Trabalho de evento-resumo
Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system (2013)
Pari-Huíza, Juan Felix; Crema, Edilson
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (CONGRESSOS)
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ABNT
PARI-HUÍZA, Juan Felix e CREMA, Edilson. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system. 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Pari-Huíza, J. F., & Crema, E. (2013). Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
NLM
Pari-Huíza JF, Crema E. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
Vancouver
Pari-Huíza JF, Crema E. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Programa latino-americano de física (2010)
Melo, Celso Pinto de; Fazzio, Adalberto; Salinas, Sílvio Roberto de Azevedo; Tamarit, Francisco
Source: Mesa Redonda. Conference titles: Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência (SBPC). Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (CONGRESSOS)
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ABNT
MELO, Celso Pinto de et al. Programa latino-americano de física. 2010, Anais.. São Paulo: SBPC, 2010. Disponível em: http://www.sbpcnet.org.br/natal/arquivos/programacao.pdf. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Melo, C. P. de, Fazzio, A., Salinas, S. R. de A., & Tamarit, F. (2010). Programa latino-americano de física. In Mesa Redonda. São Paulo: SBPC. Recuperado de http://www.sbpcnet.org.br/natal/arquivos/programacao.pdf
NLM
Melo CP de, Fazzio A, Salinas SR de A, Tamarit F. Programa latino-americano de física [Internet]. Mesa Redonda. 2010 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbpcnet.org.br/natal/arquivos/programacao.pdf
Vancouver
Melo CP de, Fazzio A, Salinas SR de A, Tamarit F. Programa latino-americano de física [Internet]. Mesa Redonda. 2010 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbpcnet.org.br/natal/arquivos/programacao.pdf
Trabalho de evento-resumo
Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas da; David, Denis G F; Silva, Antonio Ferreira da; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Freitas Junior, Jaime A
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
NLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Vancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf

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