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  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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      VALE NETO, José Vieira do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1986. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Vale Neto, J. V. do. (1986). Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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      STRUM, Marius. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1977. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Strum, M. (1977). Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
    • NLM

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
    • Vancouver

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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      GALEAZZO, Elisabete e PEREZ LISBOA, M O e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Transducao magneto eletrica com tecnologia cmos. 1990, Anais.. Sao Paulo: Ipen/Cnen-Sp/Dema-Ufscar, 1990. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Galeazzo, E., Perez Lisboa, M. O., & Ramírez Fernandez, F. J. (1990). Transducao magneto eletrica com tecnologia cmos. In Anais. Sao Paulo: Ipen/Cnen-Sp/Dema-Ufscar.
    • NLM

      Galeazzo E, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Transducao magneto eletrica com tecnologia cmos. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Galeazzo E, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Transducao magneto eletrica com tecnologia cmos. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Source: IEEE Latin America Transactions. Unidade: EESC

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, REDES NEURAIS, FALHA, TRANSFORMADA DE FOURIER, ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      VANÇO, Wagner Eduardo et al. Theoretical experimental analysis of the induction generator in the use of distributed generation. IEEE Latin America Transactions, v. 19, n. 3, p. 396-403, 2021Tradução . . Disponível em: https://dx.doi.org/10.1109/TLA.2021.9447688. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Vanço, W. E., Silva, F. B., Monteiro, J. R. B. de A., Oliveira, C. M. R. de, & Gomes, L. C. (2021). Theoretical experimental analysis of the induction generator in the use of distributed generation. IEEE Latin America Transactions, 19( 3), 396-403. doi:10.1109/TLA.2021.9447688
    • NLM

      Vanço WE, Silva FB, Monteiro JRB de A, Oliveira CMR de, Gomes LC. Theoretical experimental analysis of the induction generator in the use of distributed generation [Internet]. IEEE Latin America Transactions. 2021 ; 19( 3): 396-403.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/TLA.2021.9447688
    • Vancouver

      Vanço WE, Silva FB, Monteiro JRB de A, Oliveira CMR de, Gomes LC. Theoretical experimental analysis of the induction generator in the use of distributed generation [Internet]. IEEE Latin America Transactions. 2021 ; 19( 3): 396-403.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/TLA.2021.9447688
  • Source: Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, v. 6, 1996Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1996). Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, 6.
    • NLM

      Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2024 abr. 24 ]
  • Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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      AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2007). The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.
    • NLM

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      SOUZA, Joel Pereira de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Souza, J. P. de. (1978). Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      PEREIRA, J A A M e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. . Sao Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 24 abr. 2024. , 1987
    • APA

      Pereira, J. A. A. M., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. Sao Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C et al. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Molina Torres, L. C., Vale Neto, J. V. do, Zasnicoff, L. S., & Pereira, J. A. A. M. (1988). Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Molina Torres LC, Vale Neto JV do, Zasnicoff LS, Pereira JAAM. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC, Vale Neto JV do, Zasnicoff LS, Pereira JAAM. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ANTENAS, RADAR

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alexandre Maniçoba de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Oliveira, A. M. de. (2012). Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
    • NLM

      Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
    • Vancouver

      Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
  • Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SINTETIZADOR, TELECOMUNICAÇÕES, SISTEMA DE TRANSMISSÃO DE SINAIS DE RÁDIO

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    • ABNT

      SANTOS, Sérgio de Almeida. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Santos, S. de A. (2008). Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
    • NLM

      Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
    • Vancouver

      Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
  • Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2005). SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics. doi:10.1016/j.sse.2004.06.010
    • NLM

      Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010
    • Vancouver

      Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e COSTA, T F e MOLINA TORRES, L C. Regras de projeto para tecnologia CMOS. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Braga, N. L. de A., Costa, T. F., & Molina Torres, L. C. (1988). Regras de projeto para tecnologia CMOS. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      LIMA FILHO, Jader Alves de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1980. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Lima Filho, J. A. de. (1980). Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Lima Filho JA de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Lima Filho JA de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SILÍCIO

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    • ABNT

      TORRES, Luis Carlos Molina. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Torres, L. C. M. (1987). Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EESC

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      SASSI, André Berti. Projeto de uma ULA de inteiros e de baixo consumo em tecnologia CMOS. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-26082013-133826/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Sassi, A. B. (2013). Projeto de uma ULA de inteiros e de baixo consumo em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-26082013-133826/
    • NLM

      Sassi AB. Projeto de uma ULA de inteiros e de baixo consumo em tecnologia CMOS [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-26082013-133826/
    • Vancouver

      Sassi AB. Projeto de uma ULA de inteiros e de baixo consumo em tecnologia CMOS [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-26082013-133826/
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CABRERA RIAÑO, Fabián Leonardo. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Cabrera Riaño, F. L. (2010). Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
    • NLM

      Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
    • Vancouver

      Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
  • Unidade: EP

    Subjects: OSCILADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      OHARA, Gilson Mikio e VALE NETO, José Vieira do. Projeto de um oscilador LC-tanque controlável por tensão em tecnologia CMOS para rádio freqüência. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 24 abr. 2024. , 2003
    • APA

      Ohara, G. M., & Vale Neto, J. V. do. (2003). Projeto de um oscilador LC-tanque controlável por tensão em tecnologia CMOS para rádio freqüência. São Paulo: EPUSP.
    • NLM

      Ohara GM, Vale Neto JV do. Projeto de um oscilador LC-tanque controlável por tensão em tecnologia CMOS para rádio freqüência. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Ohara GM, Vale Neto JV do. Projeto de um oscilador LC-tanque controlável por tensão em tecnologia CMOS para rádio freqüência. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, AMPLIFICADORES

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    • ABNT

      RODRÍGUEZ RAMÍREZ, Eduard Emiro. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Rodríguez Ramírez, E. E. (2004). Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Rodríguez Ramírez EE. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ]
    • Vancouver

      Rodríguez Ramírez EE. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ]

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