Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs (2008)
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES (SIMULAÇÃO), FÍSICA COMPUTACIONAL, ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SCIGLIANO, Keila Brandão e SIPAHI, Guilherme Matos. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. 2008, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2008. . Acesso em: 09 out. 2024.APA
Scigliano, K. B., & Sipahi, G. M. (2008). Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.NLM
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2008 ;[citado 2024 out. 09 ]Vancouver
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2008 ;[citado 2024 out. 09 ]