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Artigo de periodico
Glycine adsorption on silicon (001) (2006)
Ferraz, A. C.; Miotto, R
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Glycine adsorption on silicon (001). Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 309-312, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2006). Glycine adsorption on silicon (001). Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 309-312. doi:10.1590/s0103-97332006000300020
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Glycine adsorption on silicon (001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 309-312.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Glycine adsorption on silicon (001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 309-312.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020
Artigo de periodico
The oxidation mechanism of CdTe (110) surface (2006)
Kiss, Ferenc Diniz; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
KISS, Ferenc Diniz e FERRAZ, A. C. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 291-203, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2006). The oxidation mechanism of CdTe (110) surface. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 291-203. doi:10.1590/s0103-97332006000300015
NLM
Kiss FD, Ferraz AC. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 291-203.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015
Vancouver
Kiss FD, Ferraz AC. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 291-203.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Artigo de periodico
First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces (2002)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 392-395, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 392-395. doi:10.1590/s0103-97332002000200041
NLM
Miotto R, Ferraz AC. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 392-395.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 392-395.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041
Artigo de periodico
Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces (2002)
Vivas, P G; Silva, E E da; Carvalho, L C de; Alves, J L A; Alves, H W Leite; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VIVAS, P G et al. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 396-398, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042. Acesso em: 14 out. 2024.
APA
Vivas, P. G., Silva, E. E. da, Carvalho, L. C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 396-398. doi:10.1590/s0103-97332002000200042
NLM
Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042
Vancouver
Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042

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