Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 30 ago. 2024.APA
Martino, J. A., Seabra, A. C., Swart, J. W., Braz, I. C., & Favoretto, K. (1987). Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.NLM
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 ago. 30 ]Vancouver
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 ago. 30 ]