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  • Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

    Assuntos: CARBONO, SILÍCIO

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    • ABNT

      FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 nov. 2024. , 1989
    • APA

      Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 07 ]
  • Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: CARBONO, SILÍCIO

    Como citar
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    • ABNT

      FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
  • Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

    Assuntos: RAIOS X, OXIGÊNIO, SILÍCIO

    Como citar
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    • ABNT

      BULLA, Douglas Anderson Pereira e STOJANOFF, Vivian. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 nov. 2024. , 1989
    • APA

      Bulla, D. A. P., & Stojanoff, V. (1989). Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 07 ]
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, v. 64, n. 9 , p. 4454-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.341268. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Hahn, S., Ponce, F. A., Tiller, W. A., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., & Castro Junior, W. E. (1988). Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, 64( 9 ), 4454-65. doi:10.1063/1.341268
    • NLM

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
    • Vancouver

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
  • Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

    Assuntos: SILÍCIO, TRATAMENTO TÉRMICO

    Versão PublicadaComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024. , 1985
    • APA

      Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E. de, Macchione, E. L. A., Pimentel, C. A., & Stojanoff, V. (1985). Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
    • NLM

      Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
    • Vancouver

      Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf

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