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  • Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

    Subjects: RAIOS X, OXIGÊNIO, SILÍCIO

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    • ABNT

      BULLA, Douglas Anderson Pereira e STOJANOFF, Vivian. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 nov. 2024. , 1989
    • APA

      Bulla, D. A. P., & Stojanoff, V. (1989). Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 02 ]
    • Vancouver

      Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 02 ]
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, v. 64, n. 9 , p. 4454-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.341268. Acesso em: 02 nov. 2024.
    • APA

      Hahn, S., Ponce, F. A., Tiller, W. A., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., & Castro Junior, W. E. (1988). Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, 64( 9 ), 4454-65. doi:10.1063/1.341268
    • NLM

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
    • Vancouver

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
  • Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

    Subjects: SILÍCIO, TRATAMENTO TÉRMICO

    Versão PublicadaHow to cite
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    • ABNT

      BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024. , 1985
    • APA

      Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E. de, Macchione, E. L. A., Pimentel, C. A., & Stojanoff, V. (1985). Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
    • NLM

      Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
    • Vancouver

      Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf

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