Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner et al. PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 18 nov. 2024.APA
Simões, E. W., Furlan, R., Morimoto, N. I., Bonnaud, O., Silva, A. N. R. da, & Silva, M. L. P. da. (1997). PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.NLM
Simões EW, Furlan R, Morimoto NI, Bonnaud O, Silva ANR da, Silva MLP da. PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 18 ]Vancouver
Simões EW, Furlan R, Morimoto NI, Bonnaud O, Silva ANR da, Silva MLP da. PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 18 ]