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Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
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ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Vancouver
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Artigo de periodico
Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature (2016)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Souza, Michelly de; Ribeiro, Thales Augusto; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114005, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Pavanello, M. A., Souza, M. de, Ribeiro, T. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2016). Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114005. doi:10.1088/0268-1242/31/11/114005
NLM
Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
Vancouver
Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
Artigo de periodico
GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard, Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Electron Device Letters. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, v. 37, n. 9, p. 1092-1095, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard, J., Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, 37( 9), 1092-1095. doi:10.1109/led.2016.2595398
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
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ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Artigo de periodico
Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique (2008)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Kopelvski, Maycon Max ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Journal of Microelectrochemical Systems. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, v. 17, n. 5, p. 1263-1269, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., Kopelvski, M. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2008). Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, 17( 5), 1263-1269. doi:10.1109/JMEMS.2008.927743
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Artigo de periodico
Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures (2007)
Finka, D.; Kiv, A.; Fuks, D.; Tabacniks, Manfredo ; Rizzutto, Marcia ; Silva, A. De O. D.; Chandra, A.; Golovanov, V.; Ivanovskaya, M.; Khirunenko, L.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, SILÍCIO, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, RESISTÊNCIA FÍSICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FÍSICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
FINKA, D. et al. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, v. 91, n. 8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2773950. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Finka, D., Kiv, A., Fuks, D., Tabacniks, M., Rizzutto, M., Silva, A. D. O. D., et al. (2007). Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, 91( 8). doi:10.1063/1.2773950
NLM
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Vancouver
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (2007)
Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Sára Elizabeth Souza Brazão de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, S. E. S. B. de. (2007). Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
NLM
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Vancouver
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Dissertação (Mestrado)
Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada (2007)
Cordeiro, Moacir Ribeiro; Carbonari, Artur Wilson (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: SEMICONDUTORES, DEFEITO, RADIAÇÃO GAMA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORDEIRO, Moacir Ribeiro. Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Cordeiro, M. R. (2007). Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Cordeiro MR. Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Cordeiro MR. Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ]
Tese (Doutorado)
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (2007)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2007). Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
NLM
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Dissertação (Mestrado)
Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (2006)
Marzano, Fabiana Lodi; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, VIDRO, SILÍCIO, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARZANO, Fabiana Lodi. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Marzano, F. L. (2006). Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
NLM
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Vancouver
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Tese (Doutorado)
Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (2006)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, A. R. de. (2006). Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
NLM
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Vancouver
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD (2003)
Alves, Marcelo Faustino; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, Marcelo Faustino. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Alves, M. F. (2003). Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/
NLM
Alves MF. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/
Vancouver
Alves MF. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/
Trabalho de evento-resumo
Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD (2000)
Oliveira, R. A. R.; Paez Carreño, Marcelo Nelson
Source: SICUSP : resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R. A. R. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Oliveira, R. A. R., & Paez Carreño, M. N. (2000). Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. In SICUSP : resumos. São Paulo: USP.
NLM
Oliveira RAR, Paez Carreño MN. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. SICUSP : resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Oliveira RAR, Paez Carreño MN. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. SICUSP : resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos (2000)
Nakano, A. Y.; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Cunha, Maurício Pereira da
Source: SICUSP : Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAKANO, A. Y. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e CUNHA, Maurício Pereira da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Nakano, A. Y., Paez Carreño, M. N., & Cunha, M. P. da. (2000). Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. In SICUSP : Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 30 ]
Trabalho de evento
Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching (1992)
Yamamoto, R K; Lopes, M C V; Akamine, C T; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YAMAMOTO, R K et al. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Yamamoto, R. K., Lopes, M. C. V., Akamine, C. T., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1992). Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.
NLM
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 set. 30 ]
Trabalho de evento
Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer (1990)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e SWART, Jacobus Willibrordus. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. 1990, Anais.. Campinas: Sbmicro/Spie, 1990. . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Swart, J. W. (1990). Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. In Anais. Campinas: Sbmicro/Spie.
NLM
Santos Filho SG dos, Swart JW. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. Anais. 1990 ;[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Swart JW. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. Anais. 1990 ;[citado 2024 set. 30 ]
Artigo de periodico
Doping of silicon with boron by rapid thermal processing (1988)
Souza, J. P.; Hasenack, Claus Martin; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOUZA, J. P. e HASENACK, Claus Martin e SWART, Jacobus Willibrordus. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, v. 3 , n. 4 , p. 277-90, 1988Tradução . . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Souza, J. P., Hasenack, C. M., & Swart, J. W. (1988). Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, 3 ( 4 ), 277-90.
NLM
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 set. 30 ]
Artigo de periodico
Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte (1986)
Zuffo, João Antonio
Source: Nova Eletronica. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
ZUFFO, João Antonio. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica, v. 10, n. ju 1986, p. 26-30, 1986Tradução . . Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Zuffo, J. A. (1986). Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica, 10( ju 1986), 26-30.
NLM
Zuffo JA. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica. 1986 ;10( ju 1986): 26-30.[citado 2024 set. 30 ]
Vancouver
Zuffo JA. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica. 1986 ;10( ju 1986): 26-30.[citado 2024 set. 30 ]

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