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  • Artigo de periodico

    Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon (1985)

    Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.

    Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF

    Assunto: MICROSCOPIA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters, v. 55, p. 980-2, 1985Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.

    • APA

      Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1985). Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters, 55, 980-2.

    • NLM

      Assali LVC, Leite JR. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters. 1985 ;55 980-2.[citado 2024 nov. 15 ]

    • Vancouver

      Assali LVC, Leite JR. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters. 1985 ;55 980-2.[citado 2024 nov. 15 ]

  • Artigo de periodico

    Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon (1985)

    Alves, J L A; Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C.

    Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF

    Assunto: MICROSCOPIA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALVES, J L A et al. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, v. 55, p. 333-7, 1985Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.

    • APA

      Alves, J. L. A., Leite, J. R., Gomes, V. M. S., & Assali, L. V. C. (1985). Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, 55, 333-7.

    • NLM

      Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 nov. 15 ]

    • Vancouver

      Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 nov. 15 ]
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