Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (1985)
Pereyra, Inés 
; Sanematsu, Mário Sabro; Gouvea, R; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: Anais. Nome do evento: Simposio Brasileiro de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: ELETRODEPOSIÇÃO, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
PEREYRA, Inés et al. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 01 nov. 2024.APA
Pereyra, I., Sanematsu, M. S., Gouvea, R., & Andrade, A. M. de. (1985). Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. In Anais. São Paulo: Lme-Usp.NLM
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 nov. 01 ]Vancouver
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 nov. 01 ]
