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  • Artigo de periodico

    Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si (1986)

    Canuto, Sylvio; Fazzio, A

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ELÉTRONS

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, v. 33, n. 6 , p. 4432-5, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432. Acesso em: 06 jul. 2024.

    • APA

      Canuto, S., & Fazzio, A. (1986). Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, 33( 6 ), 4432-5. doi:10.1103/physrevb.33.4432

    • NLM

      Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432

    • Vancouver

      Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432

  • Artigo de periodico

    Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon (1986)

    Alves, J L A; Leite, J. R.

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ELÉTRONS

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALVES, J L A e LEITE, J. R. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon. Physical Review B, v. 34, n. 10, p. 7174-85, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174. Acesso em: 06 jul. 2024.

    • APA

      Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1986). Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon. Physical Review B, 34( 10), 7174-85. doi:10.1103/physrevb.34.7174

    • NLM

      Alves JLA, Leite JR. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon [Internet]. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7174-85.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174

    • Vancouver

      Alves JLA, Leite JR. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon [Internet]. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7174-85.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174
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