Assuntos: GÁS DE ELÉTRONS BIDIMENSIONAL, POÇO PARABÓLICO, FATOR G DE LANDÉ, EFEITO HALL, VÁLVULA DE SPIN
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ABNT
ALIAGA AYLLÓN, Edgar Fernando. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/. Acesso em: 20 jul. 2024.APA
Aliaga Ayllón, E. F. (2013). O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/NLM
Aliaga Ayllón EF. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/Vancouver
Aliaga Ayllón EF. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/
