Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) (2001)
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, DENSIDADE, SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, ABSORÇÃO
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ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6. Acesso em: 30 set. 2024.APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, 22( 1-2), 19-23. doi:10.1016/s0927-0256(01)00158-6NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6
