Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
ABNT
OCTAVIANO, E S e ANDREETA, José Pedro. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 27 set. 2024.APA
Octaviano, E. S., & Andreeta, J. P. (1989). Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.NLM
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 27 ]Vancouver
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 27 ]