Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2019)
Morelhão, Sérgio L. 
; Kycia, Stefan W.; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Fonte: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Assuntos: RADIAÇÃO SINCROTRON, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CRISTALOGRAFIA, BISMUTO
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio L. et al. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377. Acesso em: 04 nov. 2024.APA
Morelhão, S. L., Kycia, S. W., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2019). Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, 123( 40), 24818-24825. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05377NLM
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377Vancouver
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
