Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matusoka, M.; Faria, Roberto Mendonça 
; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidades: IF, IFSC
Subjects: ELÉTRONS, POLÍMEROS (MATERIAIS) (PROPRIEDADES ELÉTRICAS;APLICAÇÕES), ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 02 nov. 2024.APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matusoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 02 ]Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 02 ]
