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Artigo de periodico
Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors (2025)
Mello, Saron Rosy Sales de ; Cemin, Felipe ; Echeverrigaray, Fernando Graniero; Jimenez, Mawin Javier Martinez; Piroli, Vanessa; Costa, Fábio Juvêncio Ramalho; Boeira, Carla Daniela ; Leidens, Leonardo Mathias ; Riul Junior, Antonio ; Figueroa, Carlos Alejandro ; Zagonel, Luiz Fernando ; Zanatta, Antonio Ricardo ; Alvarez, Fernando
Source: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS
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ABNT
MELLO, Saron Rosy Sales de et al. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12380-12392 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Mello, S. R. S. de, Cemin, F., Echeverrigaray, F. G., Jimenez, M. J. M., Piroli, V., Costa, F. J. R., et al. (2025). Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12380-12392 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02214
NLM
Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214
Vancouver
Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214
Artigo de periodico
From p to n type-semiconductor and metallic material: one-step route using femtosecond pulsed laser to produce Ag3VO4/ AgVO3/Ag heterostructure (2025)
Cruvinel, Guilherme Henrique ; Garcia, Rafael de Queiroz ; Pinatti, Ivo Mateus; Ribeiro, Renan Augusto Pontes; De Boni, Leonardo ; Longo, Elson
Source: Materials Today Chemistry. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ÓPTICA NÃO LINEAR, LASER, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
CRUVINEL, Guilherme Henrique et al. From p to n type-semiconductor and metallic material: one-step route using femtosecond pulsed laser to produce Ag3VO4/ AgVO3/Ag heterostructure. Materials Today Chemistry, v. 46, p. 102738-1-102738-13, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2025.102738. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Cruvinel, G. H., Garcia, R. de Q., Pinatti, I. M., Ribeiro, R. A. P., De Boni, L., & Longo, E. (2025). From p to n type-semiconductor and metallic material: one-step route using femtosecond pulsed laser to produce Ag3VO4/ AgVO3/Ag heterostructure. Materials Today Chemistry, 46, 102738-1-102738-13. doi:10.1016/j.mtchem.2025.102738
NLM
Cruvinel GH, Garcia R de Q, Pinatti IM, Ribeiro RAP, De Boni L, Longo E. From p to n type-semiconductor and metallic material: one-step route using femtosecond pulsed laser to produce Ag3VO4/ AgVO3/Ag heterostructure [Internet]. Materials Today Chemistry. 2025 ; 46 102738-1-102738-13.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2025.102738
Vancouver
Cruvinel GH, Garcia R de Q, Pinatti IM, Ribeiro RAP, De Boni L, Longo E. From p to n type-semiconductor and metallic material: one-step route using femtosecond pulsed laser to produce Ag3VO4/ AgVO3/Ag heterostructure [Internet]. Materials Today Chemistry. 2025 ; 46 102738-1-102738-13.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2025.102738
Trabalho de evento
Comparative analysis of structural properties of Sr(Ti,Sn)O3 obtained by two different synthesis methods (2018)
Lavinscky, Anderson Borges da Silva; Welsch, A. M.; Kennedy, B. J.; Bernardi, Maria Inês Basso; Mastelaro, Valmor Roberto
Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: CERÂMICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
LAVINSCKY, Anderson Borges da Silva et al. Comparative analysis of structural properties of Sr(Ti,Sn)O3 obtained by two different synthesis methods. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1262/887. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Lavinscky, A. B. da S., Welsch, A. M., Kennedy, B. J., Bernardi, M. I. B., & Mastelaro, V. R. (2018). Comparative analysis of structural properties of Sr(Ti,Sn)O3 obtained by two different synthesis methods. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1262/887
NLM
Lavinscky AB da S, Welsch AM, Kennedy BJ, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Comparative analysis of structural properties of Sr(Ti,Sn)O3 obtained by two different synthesis methods [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1262/887
Vancouver
Lavinscky AB da S, Welsch AM, Kennedy BJ, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Comparative analysis of structural properties of Sr(Ti,Sn)O3 obtained by two different synthesis methods [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1262/887
Trabalho de evento
Synthesis and characterization of Sr(Ti,Sn)O3 oxide applied as gas sensors (2017)
Lavinscky, Anderson B. S.; Bernardi, Maria Inês Basso; Mastelaro, Valmor Roberto
Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: SENSOR, GASES
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ABNT
LAVINSCKY, Anderson B. S. e BERNARDI, Maria Inês Basso e MASTELARO, Valmor Roberto. Synthesis and characterization of Sr(Ti,Sn)O3 oxide applied as gas sensors. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/851/451. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Lavinscky, A. B. S., Bernardi, M. I. B., & Mastelaro, V. R. (2017). Synthesis and characterization of Sr(Ti,Sn)O3 oxide applied as gas sensors. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/851/451
NLM
Lavinscky ABS, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Synthesis and characterization of Sr(Ti,Sn)O3 oxide applied as gas sensors [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/851/451
Vancouver
Lavinscky ABS, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Synthesis and characterization of Sr(Ti,Sn)O3 oxide applied as gas sensors [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/851/451
Artigo de periodico
Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures (2017)
Kondratenko, Serhiy V.; Iliash, Sviatoslav A.; Vakulenko, Oleg V.; Mazur, Yuriy I.; Benamara, Mourad; Marega Junior, Euclydes ; Salamo, Gregory J.
Source: Nanoscale Research Letters. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FOTOCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
KONDRATENKO, Serhiy V. et al. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, v. 12, p. 183-1-183-7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Kondratenko, S. V., Iliash, S. A., Vakulenko, O. V., Mazur, Y. I., Benamara, M., Marega Junior, E., & Salamo, G. J. (2017). Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, 12, 183-1-183-7. doi:10.1186/s11671-017-1954-7
NLM
Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Junior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7
Vancouver
Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Junior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7
Trabalho de evento
Synthesis of SrTi1-xSnxO3 oxide applied as gas sensors (2016)
Silva, Anderson Borges da; Bernardi, Maria Inês Basso; Mastelaro, Valmor Roberto
Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), SENSOR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Anderson Borges da e BERNARDI, Maria Inês Basso e MASTELARO, Valmor Roberto. Synthesis of SrTi1-xSnxO3 oxide applied as gas sensors. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2016. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/SICEM/paper/view/178/91. Acesso em: 28 fev. 2026.
APA
Silva, A. B. da, Bernardi, M. I. B., & Mastelaro, V. R. (2016). Synthesis of SrTi1-xSnxO3 oxide applied as gas sensors. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/SICEM/paper/view/178/91
NLM
Silva AB da, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Synthesis of SrTi1-xSnxO3 oxide applied as gas sensors [Internet]. Anais eletrônicos. 2016 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/SICEM/paper/view/178/91
Vancouver
Silva AB da, Bernardi MIB, Mastelaro VR. Synthesis of SrTi1-xSnxO3 oxide applied as gas sensors [Internet]. Anais eletrônicos. 2016 ;[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/SICEM/paper/view/178/91
Trabalho de evento-anais periodico
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2012)
Tabata, A; Oliveira, J B B; Pintão, C A F; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Lamas, Tomas Eriksson; Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Physics Procedia: Book Series. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#. Acesso em: 28 fev. 2026. , 2012
APA
Tabata, A., Oliveira, J. B. B., Pintão, C. A. F., Silva, E. C. F. da, Lamas, T. E., Duarte, C. A., & Gusev, G. M. (2012). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
NLM
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
Vancouver
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#

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