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Artigo de periodico
Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells (2021)
Patricio, Marco Antonio Tito; Tavares, Belarmino Gomes Mendes; Jacobsen, J. M.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A
Source: Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, v. 131, p. 114700-1-114700-6, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700. Acesso em: 09 fev. 2026.
APA
Patricio, M. A. T., Tavares, B. G. M., Jacobsen, J. M., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2021). Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, 131, 114700-1-114700-6. doi:10.1016/j.physe.2021.114700
NLM
Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2026 fev. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700
Vancouver
Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2026 fev. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700
Trabalho de evento-resumo
Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well (2018)
Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. G.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 09 fev. 2026.
APA
Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2026 fev. 09 ]
Vancouver
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2026 fev. 09 ]

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